微纳尺度表征俄歇电子能谱新技术.pdf

摘要 随着纳米结构材料的广泛应用，新型微纳尺度表征技术成为纳米科学技术的 重要组成部分。发展在纳米尺度下的各种检测与表征手段，以用于观测纳米结构 材料的原子、电子结构，和测量各种纳米结构的力、电、光、磁等特性，日益引 起人们的重视。针对目前广泛使用的各种光子谱技术、x射线衍射和精细吸收谱、 高分辨的电子显微术等技术的局限性，本论文基于以电子束为探针的俄歇电子能 electron 谱(Auger spectroscopy)，发展了纳米尺度的检测与表征新技术。 本论文从俄歇电子能谱基础出发，基于俄歇电子物理机制，着重讨论价带俄 歇谱的理论表述和物理意义。采用第一性原理计算方法，模拟GaN和ZnO基半导 体不同物理条件下的理论价带俄歇谱；通过实验测量相关半导体的俄歇电子能谱， 分别建立材料应力、电荷及电场分布、结构和导电类型等宏观参量的微纳尺度测 量技术。主要取得如下研究成果： 提出俄歇电子能谱广义位移的概念，把所有能导致俄歇价电子谱的动能位移 及其谱峰相对强度改变的因素(包括化学、物理等)都统一起来。建立了材料微 纳米尺度宏观特性的俄歇价电子能谱表征新技术。其主要包括：采用第一性原理 计算各种环境下的电子结构；卷积相关价电子态密度；拟合实验谱