数字电子技术 第3章 逻辑门电路1.pptVIP

三. 输入级和输出级的作用 TTL门电路输入端负载特性 8.扇入与扇出数 1）扇入数:与非门输入端的个数 T1 T2 Rb1 Rc2 Re2 vI B A C 图中TTL与非门的扇入数 Ni=3 2）扇出数:驱动同类负载门的个数。（反映门电路的带负载能力） 分带灌电流负载和拉电流负载两种情况 VCC T4 T3 D Rc4 灌电流负载：驱动门输出“0”,负载门输入级相对应的e结导通，电流由负载门流进驱动门 拉电流负载：驱动门输出“1”,负载门输入级相对应的e结反偏，反向饱和电流从驱动门流向负载门 0 1 IIL IIH a.当输出为低电平时的扇出数（灌电流负载） 能带的灌电流负载门数： NOL=IOL/IIL nIIL过大： 超过T3的集电极允许电流 应使 nIILIOL IIL、 IOL可由附录A查出(P504) IOL :输出低电平电流 T3所允许的最大集电极电流 IIL：输入短路电流 VCC T4 T3 D Rc4 nIIL IIL IIL IIL b)当输出为高电平时的扇出数（拉电流负载） 能带拉电流负载的门数： NOH=IOH/IIH nIIH过大： 输出高电平不高 应使： nIIHIOH IIH、 IOH可由附录A查出 IOH :输出高电平电流 使输出保持“1”的最大IC4 IIH：高电平输入电流 VCC T4 T3 D Rc4 nIIH IIH IIH IIH * 第二章 逻辑门电路 基本要求： 了解MOS管和BJT管的开关特性 了解CMOS电路、TTL电路的组成、工作原理 掌握典型CMOS和TTL门的逻辑功能、特性、参数和使用方法 了解其他逻辑门电路的特点 了解逻辑门使用中应注意的问题 前面：基本逻辑运算（逻辑门）做为黑匣子，只关心 输入、输出间的逻辑关系 本章：打开黑匣子，了解内部结构、工作原理，掌握外特性。 3.2 TTL逻辑门电路 3.2.1 BJT的开关特性 1、BJT的静态开关特性 截止状态 -2V 0.3V 使发射结反偏或小于死区电压 iB ≈ 0 , iC ≈ 0 vCE ≈VCC D C 3.2 TTL逻辑门电路 3.2.1 BJT的开关特性 1、BJT的静态开关特性 5V 较大正偏电压 0.2~0.3V iC≈ICS=VCC/RC iB较大 c、e间相当于一个受iB控制的开关 饱和状态 iC＝ICS≈ 很小，约为数百欧，相当于开关闭合 可变 很大，约为数百千欧，相当于开关断开 c、e间等效内阻 VCES ≈ 0.2~0.3 V VCE＝VCC－iCRc VCE ≈ VCC 管压降 且不随iB增加而增加 iC ≈ ?iB iC ≈ 0 集电极电流 发射结和集电结均为正偏 发射结正偏，集电结反偏 发射结和集电结均为反偏 偏置情况 工作特点 iB iB≈0 条件 饱 和 放 大 截 止 工作状态 BJT的开关条件 0 iB iC＝ICS≈ 2、BJT的动态开关特性 t O vI +VB2 -VB1 t O iC ICS 0.1ICS 0.9ICS tr td ts tf 对上图的BJT施加如图的激励， 上升沿和下降沿都有延时。 延迟时间 td 上升时间 tr 存储时间 ts 下降时间 tf 开通时间 关闭时间 输出电流的响应如下图： ton toff VCC vI iC Rb RC vO T ①当BJT由截止到饱和导通需基区电荷积累时间—开通时间ton ②当BJT由饱和导通到截止需基区电荷消散时间—关闭时间toff BJT的转换过程需ton和toff的原因： 如欲↘ton ，加大正向基极电流； 如欲↘toff ，加大反向基极电流。 BJT基区存在电荷存储效应 总结： VCC vI iC Rb RC vO T 3.2.2 BJT反相器的动态性能 截止 放大 饱和 V1 V2 vO O vI 逻辑0 逻辑1 传输特性曲线 Rb A L Vcc Rc T vi vo ①当viV1时，T截止,vo=+Vcc，输出高电平。 ②当viV2时，T饱和导通,vo=VCES=0.2V，输出低电平。 ③当V1viV2时，T处于放大状态, vi 增大，v o减小， v o和 vi 呈线性关系 。 若vi的取值使BJT只工作于截止和饱和态，则 满足非门的逻辑关系，即 L=A 1 A L=A _ BJT反相器动态性能差，工作速度低，其原因有二： 3.2.2 BJT反相器的动态特性 Rb A L Vcc Rc T Vi Vo 1.BJT基区的电荷存储效应 T 截止? 饱和导通 需 基区电子电荷存储时间 （开通时间） T 饱和导通?截