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HSPICE 基本操作 Outline 電路設計與製作流程 HSPICE模擬軟體簡介 HSPICE基本語法介紹 練習 電路設計與製作流程(1/4) 電路設計與製作流程(2/4) 電路設計與製作流程(3/4) Pre-simulation 電路設計與製作流程(4/4) Post-simulation HSPICE 模擬軟體簡介(1/3) HSPICE 模擬軟體簡介(2/3) Data Flow of Hspice HSPICE 模擬軟體簡介(3/3) Hspice 基本語法介紹(1/15) Structure of Netlist (.sp) Hspice 基本語法介紹(2/15) Simulation input and control In Hspice, Zero (0) is always Ground Ground may be 0, GND, !GND Node Names can cross all subcircuitby a .GLOBAL statement EX: .GLOBAL VDD VSS Hspice 基本語法介紹(3/15) Names of Instance and element C *電容* D *二極體* E,F,G,H *相依電壓與電流源* I *獨立電源: 電流源* J *接面場效應電晶體JFET* K *互感或耦合電感Mutual inductor* L *電感* M *金屬氧化物半導體場效應電晶體MOSFET* Q *雙極性接面電晶體BJT* O,T,U *傳輸線* V *獨立電源: 電壓源* X *子電路* Hspice 基本語法介紹(4/15) Scale factors K *1e3* Meg *1e6* G *1e9* T *1e12* M *1e-3* U *1e-6* P *1e-12* F *1e-15* N *1e-19* Hspice 基本語法介紹(5/15) MOSFET 描述如下所示: MOS元件描述以M為開頭，其隨後的描述為連接之節點、參數等。 Mname drain gate source bulk mname length width Ex: MN1 out in vdd! vdd! pchL=0.35u w=1.8u Ex: MN2 out in vss! vss! nchL=0.35u w=0.9u Hspice 基本語法介紹(6/15) Library input statement .INCLUDE statement *copy the content of file into netlist* EX: . INCLUDE ‘$installdir/parts/ad’ .LIB Definition and call statement *file reference and corner selection* EX:.lib /export/home/vlsi07/MyLibrary/tsmc/mm0355v.l tt Hspice 基本語法介紹(7/15) Subcircuit statement .SUBCKT subnamen1 n2 n3 param=val… .ENDS Ex: .SUBCKT and a b *.PININFO a:Ib:Iy:O MM5 y net21 vss! vss! nchW=900n L=350n MM2 net9 b vss! vss! nchW=900n L=350n MM1 net21 a net9 vss! nchW=900n L=350n MM4 y net21 vdd! vdd! pchW=1.8u L=350n MM3 net21 a vdd! vdd! pchW=1.8u L=350n