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第8章 压电式传感器 8.1 压电效应 压电效应（正向压电效应）：对某些电介质沿一定方向施以外力使其变形时，其内部将产生极化现象而使其表面出现电荷集聚的现象。在外力去除后又重新恢复到不带电状态。称为压电效应。 逆向压电效应（电致伸缩效应）：当某晶体沿一定方向受电场作用时，在一定的晶轴方向将产生机械变形或应力。外加电场消失后，晶体内部的应力或变形也随之消失。 压电材料具有压电效应的电介质材料，如石英晶体，钛酸钡，锆钛酸铅等 沿X轴向受力： （纵向压电效应） 沿Y轴向受力： （横向压电效应） 沿Z轴向受力： 无电荷产生 压电材料分为：压电晶体、压电陶瓷、高分子压电材料 8.2 压电式传感器的测量电路 电荷放大器 8.3 压电式传感器的应用 压电式力传感器 压电式加速度传感器 第9章 磁敏式传感器 主要内容： A 霍尔传感器 -霍尔效应与霍尔元件 -参数及特性 -霍尔传感器应用 B 磁敏电阻 9.1 霍尔式传感器（Hall Sensor) 霍尔效应产生机理 霍尔效应是由于运动的载流子（电子/空穴）受到洛伦兹力作用的结果。洛伦兹力是磁场对运动电荷的作用力。洛伦兹力的方向循右手螺旋定则垂直于v和B构成的平面，为由v转向B的右手螺旋的前进方向（若q为负电荷，则反向）。由于洛伦兹力始终垂直于电荷的运动方向，所以它对电荷不作功，不改变运动电荷的速率和动能，只能改变电荷的运动方向使之偏转。  霍尔元件的灵敏度KH KH=RH/d 则UH=KHIB(霍尔电势的大小正比于激励电流I和磁感应强度B的成绩） 霍尔元件的主要特性参数： （1）额定激励电流IH （2）灵敏度KH （3）输入电阻Ri和输出电阻Ro （4）不等位电势U0和不等位电阻r0 （5）霍尔电势温度系数和（6）内阻温度系数 9.2 霍尔传感器的应用 霍尔元件根据其输出特性分为线性输出型和开关输出型两种。 1）霍尔线性输出传感器,广泛用于磁场检测，无刷直流电机控制等场合。 例2 单片霍尔式电流传感器 Allegromicro 公司 ACS系列霍尔式电流传感器 不同系列量程在20A～100A不等 霍尔传感器的应用 1）保持激励电流I不变，使磁感应强度B变化，用于测量磁场强度（高斯计），微位移，转速等 2）保持B不变，而激励电流变化，用于测量电流、电压 3）当B和I都变化时，传感器输出与两者的成绩成正比，用于乘法器、功率测量等。 磁敏电阻 磁阻效应：当一载流导体在磁场中，其电阻值会随磁场发生变化，这种现象称为磁阻效应。磁阻效应与材料性质、几何尺寸有关。 磁敏电阻是基于磁阻效应而工作的，可用于测量磁场变化，或做非接触式位移测量。 “备”则“倍” 有准备、有规划的人生更精彩！ * * 主要内容： 压电效应 压电材料 测量电路 压电传感器应用 石英晶体：各向异性。纵轴Z（光轴）；X轴（电轴）:经过六棱柱棱线并垂直于光轴；Y轴（机械轴）。 如果对石英晶片施加交变电场，将产生机械振动（逆压电效应），如超声波探头。 居里点：压电材料完全丧失压电性质时对应的温度点。 （1）石英晶体 压电系数d11=2.1x10-12C/N 居里点：573度 机械性能稳定，强度高。 （2）压电陶瓷：人工合成的多晶体压电材料，由无数细微电畴组成。 电畴：自发极化的小区域。 压电陶瓷的压电系数比石英晶体的大得多，所以采用压电陶瓷制作的压电式传感器的灵敏度较高。 目前使用较多的压电陶瓷材料是锆钛酸铅（PZT）系列， 它是钛酸铅（PbTiO2）和锆酸铅（PbZrO3）组成的（Pb（ZrTi）O3）。居里点在300℃以上，性能稳定，有较高的介电常数和压电系数 （3）高分子压电材料 如聚二氟乙烯(PVF2)、聚氯乙烯(PVC)等。 压电传感器等效电路 前置放大器 压电传感器产生的电荷量很小，而内阻又非常大，故其带负载能力非常弱。后续测量电路必须具有极高的输入阻抗，因此压电传感器通常要先接一个高输入阻抗的前置放大器，作阻抗变换后再进行其他变换和处理。 前置放大器种类： 电压放大器、电荷放大器 图8-6 电荷放大器原理 可用于测量动态、短期静态的振动和冲击力，机械结构的拉伸和压缩力 主要指标： 电荷灵敏度：50pC/g 频率范围：0.2-9000Hz（±10%) 安装谐振点:27kHz 横向灵敏度：≤5% 副值线性：1500g（±10%) 重量：15gm 使用温度范围：-40～+150℃ 安装螺纹：M5 mm 内部结构：隔离剪切 用途： 通用测振 霍尔效应（Hall effect) 一半导体薄片，在它两端通以电流I，在薄片的垂直方向上施加磁感应强度为B的磁场，则在薄片的另两端会产生一个与控制电流I和磁感应强度B的乘积成比例的电动势UH,这个电动势