最全电力电子复习(有答案).docVIP

第一章 填空题：　　1.电力电子器件一般工作在状态。　　2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为。　　3.电力电子器件组成的系统，一般由、、 三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加。　　4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为 、 、三类。　　5.电力二极管的工作特性可概括为。　　6.电力二极管的主要类型有、、 。　　7.肖特基二极管的开关损耗快恢复二极管的开关损耗。　　8.晶闸管的基本工作特性可概括为正向有触发则导通、反向截止。　　9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有ILIH 。　　10.晶闸管断态不重复电压UDRM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDRMUbo。　　11.逆导晶闸管是将与晶闸管（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。　　12.GTO的结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。　　13.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为。　　14.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的、前者的饱和区对应后者的、前者的非饱和区对应后者的。　　15.电力MOSFET的通态电阻具有温度系数。16.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而，开关速度电力MOSFET 。　　17.功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是。　　18.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为和两类。　　19.为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是。　　20.GTR的驱动电路中抗饱和电路的主要作用是。　　21.抑制过电压的方法之一是用吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。在过电流保护中，快速熔断器的全保护适用于功率装置的保护 。　　22.功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。　　23.晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是措施，给每只管子并联RC支路是措施，当需同时串联和并联晶闸管时，应采用的方法。　　24.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有温度系数， 在1/2或1/3额定电流以上区段具有温度系数。　　25.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是，属于半控型器件的是，属于全控型器件的是；属于单极型电力电子器件的有，属于双极型器件的有，属于复合型电力电子器件得有；在可控的器件中，容量最大的是，工作频率最高的是，属于电压驱动的是，属于电流驱动的是。　.应用电力电子器件的系统组成如题图1-27所示，试说明其中电路的？主电路：实现系统的系统功能。 保护电路：防止电路的电压或电流过冲对系统的破坏。 驱动电路：将信息电子电路传来的信号按照控制目标的要求，转换成使电力电子器件开通或关断的信号。此信号加在器件的控制端和公共端之间，对半控型器件只需要提供开通信号 　.GTR的安全工作区是如何定义的？如题图1-33所示，GTR带电感性负载时，如果不接二极管VD会产生什么问题？有了二极管VD是否还要加缓冲电路呢？　.流经晶闸管的电流波形如题图1－41所示。试计算电流波形的平均值、有效值。若取安全裕量为2，问额定电流为100A的晶闸管，其允许通过的电流平均值和最大值为多少？ ?4.题图1-43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为Im，试计算各波形的电流平均值Id1、Id2、Id3与电流有效值I1、I2、I3。 第二章 填空题：　　1.电阻负载的特点是，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是。　　2.阻感负载的特点是，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是 ，其承受的最大正反向电压均为，续流二极管承受的最大反向电压为（设U2为相电压有效值）。　　3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为和；带阻感负载时，α角移相范围为，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为和；　　4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角?时，晶闸管的导通角??=α-?; 当控制角?小于不导电角???时，晶闸管的导通角???=。　　5.从输入输出上看，单相桥式全控整流电路的波形与的波形基本相同，只是后者适用于输出电压的场合。　　8.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作