半導體簡介.docVIP

1-1　原子結構 (c) 1. 每一個已知的元素都有　(a)(b)相同數目的原子　(c)(d)幾種不同型態的原子。 (d) 2. 原子是由哪些組成　(a)(b)一個原子核和一個以上的電子　(c)(d)答案(b)和(c)均是。 (a) 3. 原子的原子核是由哪些基本粒子組成　(a)(b)電子　(c)電子和質子　(d)電子和中子。 (b) 4. 價電子是位於　(a)(b)距離原子核最遠的軌道　(c)(d)與任何原子無關。 (a) 5. 下面哪一種狀況會產生正離子　(a)　(b)　(c)(d)原子獲得一個額外的價電子。 1-2　絕緣體、導體和半導體 (d) 6. 目前在電子元件中最常使用的半導體材料是　(a)(b)碳　(c)銅　(d)矽。 (d) 7. 絕緣體和半導體的差別在　(a)(b)自由電子的數目　(c)(d)以上皆對。 (c) 8. 自由電子位於哪一個能量帶？　(a)(b)第二層能量帶　(c)導電帶　(d)價電帶。 (d) 9. 在半導體晶體中，原子是由於下列何種原因而結合在一起　(a)(b)原子間的吸引力　(c)(d)答案(a)、(b)和(c)均是。 (d) 10. 矽的原子序是　(a)8(b)2　(c)4　(d)14。 (d) 11. 鍺的原子序是　(a)8(b)2　(c)4　(d)32。 (d) 12. 矽原子的價能階層的編號是　(a)0(b)1　(c)2　(d)3。 (c) 13. 矽晶體中的每一個原子都有　(a)(b)四個傳導電子　(c)　(d) 1-3　半導體的電流 (b) 14. 電子-電洞對是在下述哪種狀況產生　(a)(b)熱擾動　(c)離子化　(d)摻雜。 (a) 15. 重新結合是發生於　(a)(b)正離子和負離子鍵結在一起時　(c)價電子成為傳導電子時　(d)晶體形成時。 (d) 16. 半導體中的電流是由什麼形成的？　(a)(b)只由電洞形成　(c)負離子　(d)電子和電洞。 1-4　N型與P型半導體 (e) 17. 在純質半導體中　(a)(b)自由電子是由熱擾動產生　(c)(d)電子的數目和電洞一樣　(e)答案(b)和(d)均是。 (a) 18. 在純質半導體材料中加入雜質的過程，我們稱為　(a)(b)重新結合　(c)原子變異　(d)離子化。 (b) 19. 將三價的雜質加入矽材料中，就會形成　(a)(b)p型半導體　(c)n型半導體　(d)空乏區。 (c) 20. 在半導體材料中加入五價雜質的目的是　(a)(b)增加電洞的數目　(c)(d)產生少數載子。 (c) 21. n型半導體材料中的多數載子是　(a)(b)價電子　(c)傳導電子　(d)質子。 (a) 22. n型半導體材料中的電洞屬於　(a)(b)摻雜過程中產生的少數載子　(c)(d)摻雜過程中產生的多數載子。 1-5　二極體 (c) 23. pn接面是由下列何種原因產生　(a)(b)離子化　(c) pn型材料結合所形成的邊界區　(d)質子和中子的碰撞。 (d) 24. 空乏區是由下列何種原因造成　(a)(b)擴散作用　(c)重新結合　(d)以上皆對。 (d) 25. 空乏區包含有　(a)(b)正離子和負離子　(c)(d)答案(b)和(c)均是。 1-6　二極體的偏壓 (c) 26. 名詞偏壓意指　(a)(b)通過二極體的電流大小　(c)(d)以上皆非。 (d) 27. 要對二極體施加順向偏壓，必須　(a)　(b)　(c)p型區，負極接到二極體的n型區　(d)(a)和(c)均是。 (d) 28. 當二極體施加順向偏壓時，　(a)(b)唯一產生的電流是電子流　(c)(d)電流是由電洞和電子共同產生。 (b) 29. 雖然逆向偏壓截斷了電流　(a)　(b)　(c) (b) 30. 對於矽二極體，一般標準順向偏壓的電壓值為　(a)0.3V　(b)必須大於0.7V　(c)(d)依照多數載子的濃度而定。 (b) 31. 在順向偏壓下，二極體會　(a)(b)傳導電流　(c)存在高的阻抗　(d)產生很大的電壓降。 1-7　二極體的電壓-電流特性 (d) 32. 二極體在何種情況下可正常運作　(a)(b)順向偏壓區　(c)(d)答案(b)或(c)皆可。 (b) 33. 二極體處於下列何種狀態時，必須將動態阻抗列入考慮　(a)(b)順向偏壓　(c)逆向崩潰電壓　(d)未偏壓。 (a) 34. 由二極體的電壓-電流曲線可得知　(a)(b)任一偏壓對應之電流大小　(c)(d)以上皆非。 1-8　二極體的各種模型 (c) 35. 理想上，二極體可視為　(a)(b)阻抗　(c)開關　(d)以上皆是。 (a) 36. 在實際二極體模型中　(a)(b)須將動態順向阻抗列入考慮　(c)以上