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2016-01-11 发布于天津
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研究背景 Reference [1] Ali Hajimiri and Thomas H. Lee, “A General Theory of Phase Noise in Electrical Oscillators,” IEEE Journal of Ｓｏｌｉｄ-ＳｔａｔｅＣｉｒｃｕｉｔｓ, Vol. 33, No. 2, pp. 179-194 Feb 1998. [2] P. Kinget, “Integrated GHz voltage controlled oscillators,” in Analog Circuit Design: (X)DSL and other Communication System; RF MOST Models; Integrated Filters and Oscillators, W.Sansen, J.Huijsing, and R.van de Plassche, Eds.Boston: Kluwer,1999,pp.353-381. [3] A. M. Niknejad and R. G. Meyer, “Analysis, Design, and Optimization of Spiral Inductors and Transformers for SI RF ICs,” IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. 33, No.10, pp. 1470–1481,Oct. 1998. [4] Behzad Razavi, “A Study of Phase Noise in CMOS Oscillators”, IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. 31, No. 3, pp. 331–343 March 1996. [5] T. Ohira, “Rigorous Q-factor Formulation for One- and Two-Port Passive Linear Networks From an Oscillator Noise Spectrum Viewpoint,” IEEE Transactions on Circuits and Systems-II, Vol. 52, No.12, pp. 846–850, Dec. 2005. R.Murakami, Tokyo Tech * 2008/9/19 インダクタの自己共振補正を考慮したLC-VCOの最適化 ○村上塁*, 原翔一**, 岡田健一**, 松澤昭** *東京工業大学工学部電気電子工学科 **東京工業大学大学院理工学研究科 2008/9/19 R.Murakami, Tokyo Tech 発表内容 ?背景、目的 ?インダクタの評価手法 ?VCO性能評価 ?まとめ位相雑音特性消費電力 VCOのPoint 究極の無線端末マルチバンドRFフロントエンド 2008/9/19 R.Murakami, Tokyo Tech 位相雑音 k : ボルツマン定数 T : 絶対温度 Psig : 出力電力ｆ 0: 発振周波数 Δｆ : オフセット周波数 Qtank : 共振器のQ値 Rp : 共振器の並列抵抗 Ibias : バイアス電流 Si CMOSプロセス [1] 位相雑音 [1] Ali Hajimiri and Thomas H. Lee, IEEE JSSC, Vol. 33, No. 2, Feb 1998. 発振周波数消費電力でトレードオフ 2008/9/19 R.Murakami, Tokyo Tech Figure of Merit（FoM） Q値の高いインダクタを選ぶ PDC：DC電力 Vamp : 出力電圧 VDD : バイアス電圧 [2] [2] P. Kinget, “Integrated GHz voltage controlled oscillators,” 1999. FoM （位相雑音を発振周波数、消費電力で規格化）位相雑音 2008/9/19 R.Murakami, Tokyo Tech Q値の定義物理的な定義 Q値の定義 ① ② [3] [4,5] [3] A. M. Niknejad and R. G. Meyer, IEEE JSSC, Vol. 33, No.10, Oct. 1998. [4] Behzad Razavi, IEEE JSSC, Vol. 31, No. 3, Mar. 1996. [5] T. Ohira, IEEE TCAS-II, Vol. 52, No.12, Dec.