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Nor flash驱动编程及实验 议程 实验目的 硬件原理 软件原理 问题与讨论 实验目的 学习Flash基本原理,熟悉对Flash的读写操作过程 硬件原理 Flash简介 39VF160简介 电路连接 39VF160详细说明 Flash简介 Flash-ROM（闪存）已经成为了目前最成功、流行的一种固态内存，与 EEPROM 相比具有读写速度快，而与 SRAM 相比具有非易失、以及价廉等优势。而基于 NOR 和 NAND 结构的闪存是现在市场上两种主要的非易失闪存技术(本实验的对象是NOR FLASH) 。 Intel 于 1988 年首先开发出 NOR flash 技术，彻底改变了原先由 EPROM 和 EEPROM 一统天下的局面。 39VF160简介 39VF160是SST公司推出的一种Super Flash型的存储器芯片, 属于SST公司并行闪速存储器系列产品中的多功能型闪速存储器(MultiPurpose Flash)。采用2.7—3.6V电源供电,可方便地应用于嵌入式系统的电路设计中。低功耗，在选通情况下是15mA，在非选通的情况下是4uA。SST39VF160由SST特有的高性能的SuperFlash技术制造而成，SuperFlash技术提供了固定的擦除和编程时间，与擦除/编程周期数无关。 39VF160简介 SST39VF160功能框图 电路连接 SST39VF160的电路连接图 电路连接 SST39VF160引脚定义 39VF160详细说明 命令定义 具体操作 39VF160详细说明 命令定义 SST39VF160的存储器操作由命令来启动。SST39VF160闪速存储器的读写时序与一般存储器的读写时序相同，当OE#和CE#信号同时为低电平时，可对芯片进行读操作；当WE#和CE#信号同时为低电平进行写操作。SST39VF160通过特定的指令代码可以完成字节、扇区或整体芯片的写入和擦除操作。操作命令定义如下表所示。 39VF160详细说明 命令指令定义 39VF160详细说明 具体操作 Flash存储器的操作包括对Flash的擦除和烧写，由前面所介绍的Flash存储器的工作原理可知，对Flash存储器的编程与擦除是与具体的器件型号紧密相关的，由于不同的厂商的Flash存储器在操作命令上可能会有一些细微的差别，Flash存储器的烧写、擦除程序一般不具有通用性，针对不同厂商、不同的型号的Flash存储器，程序应做相应的修改。本文以SST 39VF160为例，其它的芯片编程方法与之类似。 39VF160详细说明 具体操作可以分为以下本个操作 擦除 烧写 状态检测 39VF160详细说明 擦除 SST39VF160的存储空间为2MB，内部划分为块，每个块又分成16个扇区。SST39VF160的块大小为32K字，扇区大小为2K字。对于该芯片的擦除操作可以通过三种途径来实现。 整体擦除(ChipErase) 块擦除(BlockErase) 扇区擦除(SectorErase) 39VF160详细说明 整体擦除(ChipErase) SST39VF160包含芯片擦除功能，允许用户擦除整个存储器阵列，使其变为“1”状态。这在需要快速擦除整个器件时很有用。 芯片擦除操作通过在最新一个总线周期内执行一个6字节的命令---5555H地址处的芯片擦除命令（10H）时序来启动。在第6个WE#或CE#的上升沿（无论哪一个先出现上升沿）开始执行擦除操作。擦除过程中，只有触发位或数据查询位的读操作有效。芯片擦除过程中发布的任何命令都被忽略。 39VF160详细说明 块擦除(BlockErase) SST39VF160支持块擦除功能，统一对32K字的块执行擦除操作。块擦除操作通过在最新一个总线周期内执行一个6字节的命令时序---块擦除命令（50H）和块地址（BA）来启动。 块地址在第6个WE#脉冲的下降沿锁存,命令50H在第6个WE#脉冲的上升沿锁存。内部擦除操作在第6个WE#脉冲后开始执行。擦除操作是否结束由数据查询位或触发位决定，块擦除操作过程中发布的任何命令都被忽略。 39VF160详细说明 扇区擦除(SectorErase) SST39VF160还支持片内的扇区擦除功能，其操作的单位为2K字的大小。扇区操作通过在最新一个总线周期内执行一个6字节的命令时序—扇区擦除命令（30H）和扇区地址（SA） 来启动。扇区地址在第6个WE#脉冲的下降沿锁存,命令30H在第6个WE#脉冲的上升沿锁存。内部擦除操作在第6个WE#脉冲后开始执行。擦除操作是否结束由数据查询位或触发位决定，扇区擦除操作过程中发布的任何命令都被忽略。 39VF160详细说明 39VF160详细说明 烧写 SST39VF160以字节形式进行编程。编程前，包含字的扇区必须完全擦除