新型图像传感器及其并行图像处理芯片研究和集成.docVIP

项目名称： 新型图像传感器及并行图像处理芯片的研究与集成 郑厚植 中国科学院半导体研究所 2011.1至2015.8 中国科学院 教育部  瞄准航天航空遥感，空天监视，机载探测、跟踪微光夜视侦察、预警，光雷达跟踪和光电武器制导，特别是可见光、红外无源图像探测在全空无源探测预警系统中的应用等涉及国家安全的战略高技术对高性能光电传感器的迫切需求，采用全新的、具有原创性知识产权的技术路线攻克具有更高灵敏度、更高信号噪声比、更高帧频、更宽光谱范围和更宽广动态范围的。 五年预期目标 (1) 研制出极弱光强下具有高量子倍增效率的和较宽探测波段 420nm~1000nm）的新原理光电探测器的64位线阵 (2) 研制出带有片上电荷/电流转换读出和放大功能的新型GaAs基CCD 64位线阵原理器件及与读出选通、差分放大芯片的SP集成原型 (3) 研制出256×256 CMOS图像传感面阵与图像处理相结合的SC原型(4) 研制配有数据采集卡或芯片的, 在极弱光强下10nW级具有高量子倍增效率的64位线阵光电探测系统；(5) 研制GaAs基64位CCD线阵与图像处理相结合的SP集成原型。  三、研究方案 本项目总的指导思想是：要想在短时期内赶上国外已领先发展了半个世纪的光电图像传感、处理技术，只能遵照有所为、有所不为的方针，探索全新的、具有原创性知识产权的技术路线和它们的技术集成，在风险与机遇并存的氛围下去实现超越。 本项目学术思路和技术路线是进一步提高我们已发明和研制出的高增益光电探测器在极弱光强下的响应率攻克GaAs基CCD图像传感器一直未解决的核心技术实现片上电荷/电流转换和放大使它能和硅基CCD图像传感器按同样的方式工作。在此基础上将GaAs基CCD线阵与行串行/列并行图像处理芯片在SP层次上实现对接充分发挥GaAs基CCD高移位速率和MPP图像处理芯片高速并行处理能力以求实现高灵敏度、高信号噪声比、高帧频的CCD图像传感、处理集成系统的目标项目的具体创新点与特色是： 在深入研究半导体III-V族纳米器件结构中新物理现象的基础上，创造性地采用多种量子效应实现完全不同于雪崩倍增效应的新量子倍增机制研制出在极低光强下具有高性能的、新原理半导体光电探测器。 采用全新的物理原理和结构解决迄今为止GaAs基CCD图像传感器无法制作片上读出放大器的难题使得GaAs基CCD图像传感器能和硅基CCD图像传感器按同样的方式工作 采用行串行/列并行图像处理芯片大幅度提高了图像采集处理的帧频可望实现500fps的实时图像采集处理。 将图像处理芯片与N条GaAs基CCD线阵结合实现SP系统集成由于可同时发挥了两者的高速性能预计可实现更高帧频的图像采集处理的SP系统。 将位高灵敏光电探测器线阵配上数据采集卡或芯片研制新型高性能光谱探测系统。 鉴于项目学术思想和所采取的技术路线均具有原创性特别是拟攻克迄今为止GaAs基CCD图像传感器无法制作片上读出放大器的难题一旦解决可以使得GaAs基CCD图像传感器能和硅基CCD图像传感器按同样的方式工作可望研发出新型的GaAs基CCD图像传感器。加上与之相配的 四、年度计划 研究内容 预期目标 第 一 年 第 二 年 解决片上电荷/电流转换和放大单元与GaAs基CCD移位单元的一体化器件层次结构设计和功能检测；完成1×16 GaAs基CCD线阵器件的流片；完成适合GaAs基CCD线阵器件管芯测试的数据采集系统 第二版CMOS图像传感器大规模并行图像处理芯片MPW流片和测试；完成第一版与GaAs基CCD线阵相配的大规模像列并行图像处理芯片的MPW流片和测试；完成第三版大规模并行图像处理芯片MPW流片：128×128CMOS高速图像传感器和大规模并行图像处理器电路的片上系统芯片和测试。 获得输入、输出，多路传输和信号处理，读出信噪比、对暗电流的处理能力、噪声抑制能力、波段的兼容性及读出电路的工艺参数等关键问题的有效解决；获得宽动态范围内图像质量与光照强度的关系；研制出高读出效率、低噪声、可室温/低温工作的64×1或128×1新原理GaAs基CCD线阵器件读出电路。 凸点制备工艺的优化方案；初步实现GaAs传感器芯片TSV互连及其与硅基板的互连工艺；初步实现配套芯片倒扣焊互连工艺；初步实现16×16阵列的集成；初步完成PCB组装。 第 三 年 第 四 年 第 五 年  一、研究内容 本项目的关键科学问题是采用全新的、具有原创性知识产权的技术路线攻克具有更高灵敏度、更高信号噪声比、更高帧频、更宽光谱范围和更宽广动态范围的。主要研究内容有: 在继续深入研究半导体III-V族纳米器件结构中新物理现象的基础上，采用完全不同于雪崩倍增效应的、多种量子效应进一步提高新型光电探测器的量子倍增效率特别是研