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摘要
摘要
多晶硅太阳能电池的转换效率虽然稍低于单晶硅太阳能电池,但前者因制
备工艺较简单、成本较低而更受市场的欢迎。目前,如何提高硅基太阳能电池
的转换效率已成为光伏领域的研究热点之一。提高硅基太阳能电池的效率主要
有两种途径:多晶硅硅锭制备工艺的改进和电池制备工艺的改进。
多晶硅铸锭工艺主要有三种:浇铸法、直接熔融定向凝固法(布里奇曼法)
和电磁铸造法(EMC);直接熔融定向凝固法是目前主流的生长工艺,该方法可以
生长出取向性较好的柱状硅锭。为了得到尺寸更大、质量更高的多晶硅铸锭,
多晶硅锭的生产工艺仍然需要进一步完善;通过计算机对多晶硅凝固进行数值
模拟是一种经济有效的方法,大量实验表明模拟结果具有较好的可靠性。本论
文采用CGSIM软件对多晶硅铸锭炉内的温度场、温度梯度和硅熔体中的流场进
行数值模拟,得到了它们在不同长晶高度(隔热笼开度)和长晶速度时的分布图,
为解释多晶硅硅锭不同位置出现微晶的机理提供了一定的实验依据,为今后进
一步优化生产多晶硅锭的工艺提供参考依据。
定向凝固多晶硅中存在较高密度的晶体缺陷(位错、晶界、微晶),这些缺陷
的存在影响了多晶硅太阳能电池的转换效率。本论文借助光学显微镜通过观察
位错的微观形貌来研究定向凝固多晶硅锭中的位错特征,发现了位错分布的高
度不均匀性、以及大量的滑移位错。利用扫描电子显微镜(SEM)并结合背散射电
子衍射(EBSD)技术观察定向凝固多晶硅样品的表面形貌,对其中的晶界类型、
分布、晶粒间取向特征等进行了研究;这些结果有助于理解多晶硅太阳能电池
的效率为什么低于单晶硅太阳能电池。本论文也研究了多晶硅锭定向凝固生长
过程中微晶的形成,结合硅锭炉中温度场、温度梯度和流场及晶体形核和长大
的相关理论解释了微晶形成的机理,并研究了微晶区域的面积百分比对太阳能
电池光伏性能的影响行为。
本论文使用SiH4和NH3作为反应气体,采用化学气相沉积技术制备了单层
和双层氢化氮化硅(SiNx:H)减反射薄膜。通过改变反应气体的流量比来控制
SiNx:H薄膜的折射率n值在1.8到3.3之间变化,改变沉积时间来控制双层
SiNx:H薄膜中的顶层和底层厚度;通过对多晶硅太阳能电池双层SiNx:H减反射
薄膜进行优化,得到了顶层和底层SiNx:H薄膜的最佳参数:顶层折射率nl=1.9、
摘要
优化后的双层SiNx:H太阳能电池比单层SiNx:H具有更好的光伏性能,这包括
更高的转换效率小更高的开路电压V∞和更大的短路电流密度J舻
为进一步降低太阳能电池的光反射,在SiNx:H减反射膜上生长了氧化物纳
米结构,对这种纳米结构进行设计和模拟计算。考虑到ZnO在各种基体上能较
容易地生长成纳米阵列,其纳米晶的形貌容易控制,本论文选择在SiNx:H减反
射膜上生长ZnO纳米结构来进一步降低太阳能电池的反射率。实验中,在SiNx:H
减反射膜上用水浴法生长ZnO纳米结构阵列膜层,形成梯度减反射薄膜,从而
进一步降低太阳能电池的光反射率;采用严格耦合波分析方法(rigorous
coupled.waveanalysis,简称为RCWA)对此梯度膜层进行设计;研究了水浴温度、
时间和溶液溶度对ZnO纳米柱生长特征及其性能的影响:得到了ZnO纳米柱的
直径、长度和阵列之间的距离不同与对光的反射率之间的关系;用有限差分时
域(finite.difference
池光反射率的机制。
为了获得到ZnO纳米棒的形状与对光的反射率之间的关系,论文采用水浴
法在SiNx:H层上成功地制备了掺铒的ZnO纳米须阵列;研究了生长时间对掺铒
的ZnO纳米须阵列的微结构的影响,结果发现掺铒的ZnO纳米须阵列的长度和
直径随生长时间的延长而增大。当生长时间增加到90和120min,掺铒的ZnO
纳米须阵列的纳米须底部相互连接在一起,其顶部由针状变为平坦;使其减反
射性能变差。60min生长的掺铒的ZnO纳米须阵列呈现出最好的减反射性能和
光伏性能,其转换效率由15.64%增加到17.41%。在水浴法制备掺铒ZnO的过
程中加入氨水,可得到抛物体纳米结构阵列膜,集成了此膜的电池在宽波长、
宽角度下反射率仅为O.3%,光电转换效率可相对提高20%。通过光学模型的建
立,论文对该实验结果进行了合理解释。
关键词:晶体硅太阳能电池;减反射膜:纳米结构阵列;定向凝固;晶体缺陷
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