铜铟硒薄膜太阳能电池相关材料的分析.pdf

摘要 摘要 常优良的化合物半导体材料，CIGS太阳能电池有非常高的光电转化效率，目前 已经达到19．9％。为了推进CIGS薄膜太阳能电池的商业化进程，需要开发大面 沉积(chemicalbath 境的限制，是两种非常有吸引力的薄膜沉积方法。但是这两种制备方法也存在一 些问题，如沉积出的薄膜结晶性和电学性质都不尽如人意，因此有必要优化ED 和CBD过程，并通过热处理提高薄膜的结晶性。在各类热处理中，我们重点研 究了化学浴沉积的CdS薄膜的CdCl2热处理、一步电化学沉积的CIS预制膜的 硒化热处理和蒸发沉积的InSe／Cu叠层预制膜的硒化热处理。 在第一章中，我们首先介绍了太阳能电池的发展和光伏发电的基本原理，然 后介绍了CuInSe2薄膜太阳能电池的发展以及电池中各层薄膜的功能和制备方 法，最后论述了CulnSe2和CdS材料的物理性质。 在第二章中，我们研究了CdCl2热处理促进化学浴沉积的CdS薄膜再结晶的 的对比研究。空气热处理的CdS薄膜表面被部分氧化，而CdCl2热处理的CdS 薄膜由于Cl离子在CdS中的扩散机制保护其未被氧化，进而通过CdS点缺陷的 研究揭示了这种抗氧化机制。并且在热处理过程中做了原位拉曼光谱研究，对 CdS薄膜的结构变化尤其是立方．六方相变进行了实时监测，最后联合其他测试 手段揭示了CdCh热处理促进CdS再结晶的机制。为了制备高转化效率的 择优取向的六方相CdS薄膜，并研究了其生长机制。在深刻理解高质量n型CdS 薄膜形成过程的基础上，本实验室其他研究生利用我们制备的CdS薄膜，得到 了12．4％的光电转化效率的CdS／CdTe太阳能电池。 在第三章中，我们通过硒化一步电沉积的Cu．In．2Se(原子比)预制膜制备了 薄膜，我们系统地研究了硒化过程中衬底温度和预制膜成分对薄膜最终结构的影 响。在不同硒化条件下，预制膜经历了非常不同的化学反应路径。薄膜的最终结 构和其中存在的物相取决于预制膜成分、硒化温度和硒化升温曲线。聚集在薄膜 表层的低熔点的CuxSe相起到助熔剂和输运元素的作用，可以有效地辅助 摘要 为了探索电化学沉积的CuInSe2薄膜中各种不同的相，我们进一步研究了在83 K．723 K温度范围内电沉积CuInSe2薄膜的变温拉曼光谱。低温下用拉曼光谱探 的变温拉曼光谱的峰位和线宽进行了拟合，结果表明，黄铜矿结构CuInSe2的 Al振动模从低温上升至400K时不发生频率移动的反常现象。为了优化CuInSe2 薄膜的带隙宽度，我们采用H2S硫化一步电沉积的CIS预制膜的方法制备出结 晶性较好的CuIn(Se，S)2薄膜。此外我们还用电沉积的方法制备出CdTe薄膜， 并在此基础上得到开路电压超过500mV的CdS／CdTe太阳能电池。 在第四章中，我们用先蒸发Cu／InSe叠层预制膜再硒化的方法制备出结晶性 好、物相均一的黄铜矿结构CuInSe2薄膜。研究了硒化过程中不同温度发生的化 学反应和生成的物相，讨论了生成黄铜矿结构CulnSe2的化学反应路径。为了得 到器件级别的CuInSe2薄膜，我们对其进行了溴一甲醇蚀刻并研究了蚀刻机理。 过程，讨论了溅射气压和功率密度对Mo层性质的影响，制备出具有双层结构的 Mo层，其附着力、导电性和结构性质都十分优良。研究了衬底温度和负离子轰 击对ZnO：A1薄膜电学、光学和结构性质的影响，制备了可见光区域内高透过率 x10a (90％)和低电阻率(1．1Qcm)的ZnO：Al薄膜。 关键词： 铜铟硒硫化镉薄膜太阳能电池 电化学沉积化学浴沉积磁控 溅射硒化 II Abstract Abstract indium indium Copper diselenide(CIS)orcopper gallium cadmium both semiconductor sulfide(CdS)arepromising for