氧化物和氮化物特殊纳米结构化学气相法制备的研究.pdf

摘要 摘要 作为半导体材料，纳米结构的氮化物和氧化物(包括氮化镓、氧化锡、氧化 铟等等)在纳电子学、纳光子学等方面的应用在过去几年中受到了很大关注。有 关这些半导体纳米材料的许多制备方法和结构不断被报导。 在众多制备氮化物和氧化物半导体纳米材料的技术路线中，化学气相沉积是 一种颇受青睐的制备方法。利用气相法制备的半导体纳米材料的形貌可控性强， 更重要的是产物的晶体质量高、产量大。另外，通过对生长条件的控制，可以制 备出各种纳米结构：而对生长气氛以及源的种类、衬底位置，还有温度梯度的调 节又使得掺杂、异质结和超晶格纳米结构甚至超薄的半导体纳米材料的制备成为 可能。 基于以上原因，本论文的工作将主要建立在使用化学气相沉积法制备氮化物 和氧化物半导体纳米材料的基础上。论文的工作主要包括以下几方面的内容： 1．具有锯齿状形貌的氮化镓纳米管的制备和发光研究 我们合成了锌掺杂的、并且有着锯齿状形貌的氮化镓纳米管。这种单晶的纳 米管有着六角形的截面，壁厚在10nrn左右。通过TEM成像和SAED衍射，我 1l 们确认这种纳米管有着交替的{01)极性面。纳米管是由沿着矛n[0001]方向共面， 并且以它作为对称轴的【1123】和【1123】这两个方向交替生长的基本单元构成。形 成这种锯齿状形貌的氮化镓纳米管是极性面相互作用的结果，因为{0T11)极性面 上正负电荷的交替排布有利于减少极性面之间的静电相互作用。 2．超薄单晶氧化铟纳米泡泡的制备和机理研究 我们首次制备了由非层状化合物氧化铟构成的单晶超薄壁纳米泡泡。通过 TEM分析，我们发现这些泡泡的壁厚仅为lnm左右，由3-4个原子层组成，泡泡 的直径为100nrll左右。和宏观体材料不同的是，我们观察到了单晶氧化铟纳米泡 泡的晶格条纹有较大弯曲。与层状材料不同，晶格形变会在非层状材料中引入巨 大的应变能，不过这个应变能随着晶体厚度的降低而急剧下降，从而使卷起一个 只有数个原子层厚度的层状或非层状材料所引入的应变能差别很小。以前报道的 类似封闭结构都是由层状材料形成，而由非层状材料组成的这种超薄壁的封闭结 摘要 构是第一次被制备。其生长机制为VLS生长过程中，催化液滴中的氮气累积吹出 液态气泡被氧化形成了超薄壁纳米泡泡。 3．一维氧化锡纳米线／纳米带的制备和机理研究 我们通过直接把源和衬底放在同一温区的方法，利用氮化镓的分解产生金属 Ga作为催化剂来催化生长超长的二氧化锡纳米线；利用直接金属Ga催化生长超 长的纳米线和超宽的纳米带。我们制备了沿着[0111方向生长的纳米带，但是它们 的宽面窄面和通常制备的纳米带不一样。我们还制备了不常见的沿着[0011方向生 长的纳米带，对于此类采用高指数的高能面作为宽面和窄面纳米带，我们从生长 机制予以解释。 关键词：氮化镓氧化铟氧化锡纳米泡泡纳米管纳米线化学气相沉积 ABSTRACT ABSTRACT Duetothe in andnitride applications Gallium Oxide， Nitride，TinOxide，Indium semiconductornanostructures(including lotof inthenanoscienceresearch．A methods， attractedattention synthesis ere．’l high aboutthesematerialshavebeen andstructures