N沟道30V - 0.0045OHM - 80A - DPAK - IPAK平面的STripFET TM II功率MOSFET.pdfVIP

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2016-01-14 发布于四川
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STD100N3LF3 STU100N3LF3 N-channel 30V - 0.0045Ω - 80A - DPAK - IPAK Planar STripFET™ II Power MOSFET General features Type VDSSS RDS(on) ID Pw STD100N3LF3 30 V 0.0055 Ω 80 A(1) 110 W 3 3 STU100N3LF3 30 V 0.0055 Ω 80 A(1) 110 W 2 1 1 1. Current limited by package DPAK IPAK ■ 100% avalanche tested ■ Logic level threshold Description This Power MOSFET is the latest refinement of Internal schematic diagram STMicroelectronics unique “Single Feature Size™” strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics, low gate charge and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility. This new improved device has been specifically designed for Automotive application and DC-DC converters. Applications ■ Switching application Order codes Part number Marking Package Packaging STD100N3LF3 100N3LF3 DPAK Tape reel STU100N3LF3 100N3LF3 IPAK Tube February 2007 Rev 1