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Wet Etch --- Gate,SD,ITO 刻蚀液种类及配比： H3PO4 : CH3COOH : HNO3: H2O = 72 : 10 : 2 : 16 wt% Al： 4AL + 2HNO3 → 2AL2O3 + N2 + H2 2H3PO4 + AL2O3 → 2AL(PO4) + 3H2O Nd: 4Nd + 2HNO3 → 2Nd2O3 + N2 + H2 2H3PO4 + Nd2O3 → 2Nd(PO4) + 3H2O Mo： 4Mo +2HNO3 → 2Mo2O3 + N2 + H2 2H3PO4 + Mo2O3 → 2Mo(PO4) + 3H2O 化学反应式： 刻蚀液种类： DIE-A09: H2SO4+HNO3(L)+Addtive1 DIE-Q22: H2SO4+Hac+HNO3(H)+Additive2 ※ CH3COOH 缓冲，调节浓度, H2O减少 ETCHANT粘性 Wet Etch Etch Process Rinsing Process Dry Process PR Mask后，利用化学药剂去除薄膜形成的Pattern，主要适用于金属膜或ITO Pattern的形成。 L/UL Chamber 连接真空和大气压的一个Chamber。Glass进入此Chamber以后，Valve关闭，开始抽真空。 M/L Chamber 将L/UL Chamber中的Glass通过机械手送到反应舱中，在此Chamber中也要进一步抽真空。 Process Chamber 利用Plassma原理在反应舱中通入反应气体，生成的反应气体粒子撞击镀膜表面，达到刻蚀的目的。 利用真空气体和RF Power 生成的Gas Plasma反应产生原子和原子团，该原子和原子团与淀积在基板上的物质反应生成挥发性物质。利用该原理可进行干法刻蚀。 Dry Etch Process Chamber结构示意图 Chiller Plasma 上部电极 下部电极 Process Gas RF Generator Cut Off 慢抽管 Matching Box Dry Etch 1. Active Etch 形成TFT Pattern的Active Layer （包括 n+ a-Si , a-Si ) 的刻蚀工序。 Glass Gate G-SiNx:H (3500?) a-Si:H (1300?) G-SiNx:L (500?) n+a-Si (500?) a-Si:L (500?) Dep. Mask Etch Strip 17E12 Pattern 2. N+ Etch 在TFT－LCD中形成Channel，刻掉Active层的N+ a-Si 500A、a-Si 800A， Spec：Channel a-Si Remain 1000A。 N+ Etch Deposition Mask SD Wet Etch Strip Glass Gate a-Si:H S/D Mo (2200?) G-SiNx:H (3500?) G-SiNx:L (500?) a-Si:L (500?) n+a-Si (500?) 17E12 Pattern 3. VIA Hole Etch 刻蚀象素电极（ITO ）和TFT连接部分及PAD部分的Gate、S/D 间绝缘层的工序。 PVX Dep Mask Strip Etch Glass Gate G-SiNx S/D P-SiNx(2500?) n+a-Si a-Si Via hole 17E12 Pattern Wet Strip STRIP就是利用腐蚀液经过化学反应去掉膜上面的光刻胶。化学反应主要是把光刻胶的长链结构断开，从而达到去除的目的。 ① 醚类（Dietylene Glycol Monoethye Ether）CH3CH2O(CH2)2O(CH2)2OH[C6H1403],PR中的对Resin的选择度大; ② 胺类（MEA）打破PR与Resin的Cross-Link结合 ③ 酮类NMP (Normal Methyl 2-Pyrrolidone : C5H9NO) Solubility将分掉的Acid溶解; ④ 表面活化剂(Surfactant) 促进PR在Chemical中溶解. Aluminum 腐蚀 1st : R-NH2 + H20 →R-NH3+ + OH- Amine Hydroxide