纳米晶硅及掺饵米晶硅发光特性的研究.pdfVIP

摘要 摘要 硅是微电子器件的主要材料，但是硅是问接带隙材料，发光效率很低，人们 一直希望将光电子器件与硅基微电子技术联系起来。虽然III．V族半导体材料， 如GaAs等更适于光电子器件，但是由于现存的非常成熟的硅基材料，所以人们 很希望能以硅基材料来制各光电子器件，实现硅基光电集成。 的发光原理，目前EDFA存在的不足。系统地研究了nc—Si及掺Ernc．Si在退火 处理、沉积氧气压力下的PL特性。 本论文用脉冲激光沉积技术在硅基上在不同氧气压力下沉积富硅si02薄膜 在Si02薄膜中生长出nc．Si。用光谱分析仪分析其在室温下的光致发光(PL)光谱 时发现，退火温度为1000C时的PL强度最强；且随着沉积氧气压力的增强，峰 值波长在减小(即蓝移)，表明nc．Si颗粒在减小；同时，PL强度与沉积氧气压力有 较强的依存关系，在20—30mTorr的氧气压力条件下得到最大的PL强度。对于这 种现象，本论文从颗粒大小、截面积及密度的角度进行了详细地分析。 对掺Ernc．Si也是从退火温度和沉积氧气压力两方面进行研究，本论文系统 地研究了掺Ernc．SiPL强度与退火温度的关系，发现Er最佳退火温度为900。C。 Er的PL强度与沉积氧气压力的关系，类似于nc．Si与沉积氧气压力的关系，它 气压力为40．50mTorr。 关键词：纳米晶硅(no．Si)、掺铒纳米晶硅、光致发光(PL)、脉冲激光沉积(PLD) Abstract Abstract isthemainmaterialofmicroelectronic hasallindirect Silicon device,which andisthereforeinefficientasa energybandage hi}ghly light devicesare tobelinkedwithsilicon-basedmicroelectronic alwaysexpected material，suchasGaAs，eVenis 111一V semi—conductor technology．Althoughgroup suitablefor ismuch tobefabricatedbased-silicon photoeleetronicdevice，it hoped by to materialto outsilicon—based due much- carry photoelectronieintegrationpresent maturebased．siliconmaterial． Thisthesisintroducedtheresearch and of historypotentialapplications nc-Si summariedthe nanocrystallinesilicon(nc—Si)anderbium(E0一dopedfirst，then researchstatusofthem．Theluminescenceof and EDFA，nc—Si present p