电子辐照对大直si-gaas单晶性能影响的研究.pdfVIP

Dissertation Submitted to Hebei University of Technology for The Doctor Degree of Materials Physics and Chemistry EFFECTS OF ELECTRON IRRADIATION ON PROPERTIES OF THE LARGE DIAMETER SEMI-INSULATING GALLIUM ARSENIDE by Wang Lihua Supervisor: Prof. Liu Caichi November 2013 万方数据 万方数据 万方数据 摘 要 半绝缘砷化镓（SI-GaAs ）单晶属直接带隙半导体材料，具有半绝缘特性、 很高的电子迁移率和较宽的禁带，使 GaAs 器件表现出耐高温、低噪声、高速、 高频和抗辐射能力强等优点，在通信、夜视技术和探测器等高科技领域有广泛 应用。随着核技术和空间技术的发展，在辐射环境中使用半导体器件的需求日 益增加。当前的商业生产上，液封直拉技术 （LEC ）和垂直梯度凝固技术 （VGF ） 是生长大直径 SI-GaAs 单晶的两个主要工艺，因而研究电子辐照对这两种工艺 SI-GaAs 单晶性能的影响具有十分重要的现实意义。 本文研究了电子辐照对大直径LEC 和VGF 工艺生长的 SI-GaAs 单晶结构特 性和电特性的影响。采用超声 AB 腐蚀法，并用金相显微镜显示和观测位错、微 缺陷的形貌，用傅立叶变换红外光谱仪测试 EL2 缺陷和杂质 C 浓度及其径向分 布；用拉曼光谱测试电子辐照前后 SI-GaAs 单晶结构特性的变化；用霍尔测量 系统分析不同辐照和退火条件对 SI-GaAs 单晶电参数的影响。 结果表明，LEC SI-GaAs 样品中的位错呈明显的胞状和网状的分布特征， VGF SI-GaAs 样品中大多位错孤立存在，偶有少数位错相交。两种样品中的 EL2 缺陷和杂质 C 浓度相当，但径向的分布特征不同。SI-GaAs 单晶的拉曼谱显示， 电子辐照使两种样品的无序度增加，缺陷形态被改变，在 LEC 样品中表现为缺 陷峰强度增大、数量增加，VGF 样品表现为低能量辐照样品中缺陷峰峰位变化、 高能量辐照样品中缺陷峰的数量减少。电子辐照使两种 SI-GaAs 单晶样品的电 阻率增加、迁移率和载流子浓度减小；小剂量辐照 LEC 样品的迁移率变好；较 高能量辐照的两种样品中，经不同退火温度处理后的电参数变化不明显，与高 能辐照改变样品中缺陷形态有关；800℃快速退火处理后，样品导电类型均由 n 型转变为 p 型，载流子浓度急剧增加，电阻率和迁移率下降，这是由样品表面 的As 原子蒸发以及样品内部 Asi 外扩散共同作用的结果。 关键词：大直径 SI-GaAs 单晶，缺陷，电子辐照，拉曼谱，退火，电参数 I 万方数据