应变与电场对硅表面的吸附能及其结构的影响.pdfVIP

应变和电场对硅表面的吸附能及结构的影响 摘 要 在表面科学领域中，外延生长是一种极为重要的生长方式，具有广泛的应用 背景，因为通过外延生长可以得到各种各样用原子尺度表面特点表征的具有独特 结构和特殊物理、化学性质的材料。对微观的生长过程初始阶段了解的目的在于 控制生长方法。外延生长涉及诸如化学成键和原子运动的微观过程，各种各样的 因素如生长速度、衬底温度、表面再构和应力等都会影响这些过程，因此，寻找 表面生长的控制方法和手段仍然是一个具有挑战性的工作，这方面的努力已经持 续了30多年。 由于表面活化剂可以诱导层状生长(1ayer-by-layergrowth)，在论文的第一 部分我们的研究将集中在这方面。异质生长涉及至少两种材料，它们的晶格常数 往往并不一致，这将会在外延薄膜中产生应力。施加外部应力也可以使外延薄膜 的再构形式发生转变。第三章中我们用基于Chadi模型和紧束缚格林函数的方法 计算表面应力，发现SblSi(001)表面的缺陷是表面应力的各向异性太大而引起的。 eV／(1xlcell)， 计算结果显示：Sb／Si(001)2xl平行于dimer方向的表