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ZnO及其掺杂纳米结构的气相合成及光致发光性能研究 摘 要 准一维纳米材料，包括纳米线、纳米棒、纳米针、纳米管、纳米带、纳米同 轴电缆和异质结等是当前纳米材料科学领域的前沿和热点。在这些材料中，氧化 物半导体一维纳米材料又受到了特殊的关注，这不仅是因为形态各异的纳米结构 被不断制备出来，更因为以这些纳米结构为原型的纳米器件在光、电、磁、热、 传感等领域有着广泛的应用前景。虽然准一维纳米材料的合成在近几年取得了很 大的进展，但如何在形貌、结构、成分上实现可控制备仍是一个很大的挑战。本 文以ZnO一维纳米材料为主要研究对象，从可控制备、掺杂和复杂结构出发进 行了一系列有益的尝试，具体包括以下几个方面： 1．ZnO纳米梳状结构的合成、表征、生长机制与光致发光特性研究 我们用简单的热蒸发方法在氩／氧气氛下合成出了高产率的单晶ZnO梳状纳 米结构，实验过程中未采用催化剂。产物的结构，形貌和光致发光性质分别用x 器进行了测试。结论如下： 1o】 方向生长，而外延的梳齿宽lO．20nto，长几微米，生长方向为[oooq。透射电镜 显示在梳齿的两侧存在一些非周期性排列的小缺口，可能是由于缺口内部不规则 原子排列所致。在室温下的光致发光谱上我们观察到了两个发光峰，位于384nm 和492nm处，分别对应着紫外峰和绿光峰。 2．ZnO纳米阵列的可控制备、表征、生长机制与光致发光特性研究 我们用热蒸发方法在没有添加催化剂的条件下，通过蒸发Zn粉末、二乙基锌 粉末，利用不同的实验条件在普通si衬底上得到了形貌不同的ZnO纳米棒阵列和 纳米钉阵列。在阵列生长之前，一层自组装的ZnO薄膜首先在Si衬底上形成。SEM 照片显示两种ZnO阵列的直径都在150到200m之间，长度可达几微米。从透射电 镜观察可以知道这两种ZnO纳米结构都是六方纤锌矿结构的纯单晶，并且都是沿 着[0002]方向生长。由于实验条件的改变，导致两种阵列按照不同的机制生长： VLS)生长。室温下光致发光测量表明：ZnO纳米棒阵列仅有 制(Self-Catalytic 一个紫外峰，相对于Zn0纳米钉阵列有着更好晶体质量和光学性质，并且纳米棒 的端面非常平整，非常有利于产生受激辐射，因此在激光发射和场发射器件方面 有着重要的应用前景。 3．三元氧化物ZilGa204超晶格纳米线的合成、生长机制和光致发光性能研究 我们用气相输运法高温蒸发金属Zn和Ga的混合粉末，成功合成出大量的 具有立方尖晶石结构的单晶ZnGa204超晶格纳米线。SEM照片显示这些纳米线 的几何形状都比较规则，直径在50到120nm，长十几微米。TEM照片显示这些 机制解释了ZnGa204超晶格纳米线的自组装生长。室温下光致发光谱表明 子自激发中心，Ga3+离子在镓氧空位对(Vo，、b)传输和电子空穴的再复合。并 且由于量子阱的存在而导致了发光峰的蓝移。 关键词；热蒸发；自催化气一液一囿生长；气一固生长；纳米线；超晶格；氧化 锌；镓酸锌。 and Photoluminesceneeof Vapor-phaseSynthesis Properties ZnOand ZnOnanostruetures doped Abstract altraeting considerableattention these oxide recently．Amongmaterials，functional semiconductornanomaterialsare not various especiallypopular,becauseonly have