一维ZnO纳米料的制备与研究.pdfVIP

摘 要 准一维纳米材料，包括纳米线、纳米棒、纳米针、纳米带、纳米同轴电缆和纳米管 等，近年来引起了极大的研究热潮。在这些材料中，氧化物半导体一维纳米材料又受到 了特殊的关注，这不仅因为丰富多样的氧化物纳米结构不断被制备出来，更因为氧化物 中阳离子价态可变、氧空位浓度可调，从而氧化物半导体的性质可以有效调控。ZnO是 近年来受到广泛关注的II-VI族半导体材料，它的一维纳米结构由于具有广泛的应用前 景而引起研究者的极大兴趣。本文在综述目前ZnO一维纳米材料的制备方法的基础上， 采用热蒸发法成功制备出多种ZnO的一维纳米结构，讨论了其形成机理，并研究了其发 光性能。取得的主要结果如下： 米结构。我们利用X射线衍射仪、透射电子显微镜、X射线电子能谱仪、扫描电子显微镜 等分析测试手段对样品进行了表征。扫描电镜分析显示ZnO纳米线产量较大，直径较小 且有大于2000的长径比。x射线衍射和高分辨测试表明样品为六方纤锌矿结构。最后， 我们对纳米线的生成机理也做了分析。 (2)采用热蒸发的方法在ZnO薄膜缓冲层上成功制备了高密度的ZnO纳米棒阵列，其 中ZnO薄膜缓冲层分别通过脉冲激光沉积和磁控溅射的方法制得。与已有的报道不同， 该方法未使用任何金属催化剂。X射线衍射仪、透射电子显微镜、扫描电子显微镜、光 致发光光谱和拉曼光谱的分析表明ZnO纳米棒阵列的形貌、取向、晶体质量和光学性能 强烈依赖于ZnO缓冲层的质量。在晶体质量较好的ZnO缓冲层上生长的纳米棒阵列无论在 晶体质量、取向，还是在发光性能上都要优于晶体质量较差的ZnO缓冲层上生长的纳米 棒阵列。磁控溅射制备的ZnO缓冲层上生长的纳米棒阵列的场发射测试显示该样品的开 启电压为0．282V／|lm，计算得出的场放大因子为1296。我们认为优质的场发射性能归因 于纳米棒阵列好的取向和纳米棒六棱锥状的顶端。此实验表明我们可以通过控匍]ZnO缓 冲层的质量来获得高质量高密度的具有垂直取向的ZnO纳米棒阵列。 关键词： 热蒸发；ZnO纳米线；ZnO薄膜缓冲层；ZnO纳米棒阵列 Abstract considerableattention nanoneedles，nanobelts，nantubes，nanocable，etc，areattracting semiconductornanostructurescanbeused thesematerials，functionaloxide recently．Among as ofsmart their andchemical ingredientssystems，becausephysical properties fundament．al and as canbetuned cationvalencestate anion atypical throughadjusting deficiency．ZnO II—VIsemiconductor itsnanostructureswhieh of material，especially manypeculiar possessed receivedwideinterestsfor this DZnO properties，have potentialapplications．Inpaper,1 nanostructures variousmethodshavebeensummarized．Thenweha