p型导电ZnO（Al，N，H）薄膜的制备及性能研究.pdfVIP

摘要 znO是一种新型的II—vI族宽禁带化合物半导体材料，由于znO具有很 高的激子束缚能(室温下为60meV)，激子增益可达到300cm～，是一种可能的 短波长发光器件材料，在LEDs、LDs等领域有巨大的应用前景。通过掺入Al、 Ga等施主杂质可形成性能优异的n一盈O材料，但p—znO材料的制备却较为困 难。可能的原因有两个：其一是受主杂质在znO中的固溶度较低；其二，ZnO 薄膜中存在的一些本征施主缺陷(如锌间隙和氧空位)会对受主杂质产生高度 自补偿现象。TYamamoto等通过对不同掺杂源的znO制各过程中系统内部 Madelllng能量理论研究，提出施主一受主共掺杂技术，即通过施主(B、Al、Ga 等)、受主(N、P、As等)共掺杂技术可以较容易地实现znO的p型转变。实验 证明这是一种可行的p-ZnO的制备技术，在几种旌主杂质中，Al原材料丰富， 价格低廉，如果能实现Al-N共掺制备p—znO薄膜，那么对于znO材料的实际 应用有极其深远的意义。 浙江大学硅材料国家重点实验室是国内最早从事zno薄膜研究的课题组之 一，在叶志镇教授的带领下，已经采用直流磁控溅射设备用m．N共掺杂的方法 实现zn0薄膜的p型转变。本文在实验室已经取得的基础上，利用直流磁控溅 射设备，对以NH3为掺杂源的Al、N、H共掺杂znO薄膜进行制各工艺改进及 相关芦一竹结的制备，得到如下结论： 1、Al含量对Al、N、H共掺杂zno薄膜的p型转变有着重要影响，在靶 材中A1含量为O．4％～4％区间内均能获得的p—ZnO薄膜。研究表明，H的存 在促进了N原子掺入，后续的退火处理能活化N原子，使其成为有效受主杂质。 2、我们进一步研究了高温同质缓冲层对znO：(Al，N，H)薄膜p型掺杂的影响。 高温同质缓冲层是制各低阻、稳定、可重复的p—znO薄膜的有效方法。高温缓 Qtcm znO：(Al，N，H)薄膜的p型传导性能较好，其获得薄膜的电阻率p在16～25 之间，载流子浓度在10”cm。3左右。 3、我们对n型传导的znO：(Al，N，H)薄膜在不同气氛下快速退火发现，在 Ar下退火其导电类型不变，而在氧气作为保护气氛下退火却实现了p型转变。 说明可能有部分的O原子在退火过程中进入znO薄膜中并填充了部分O空位。 4、从双异质结结构能提高器件的发光效率出发，用Al—N共掺杂的p型znO 薄膜实现了zn0薄膜，Al掺杂n型zn0薄膜，再结合禁带宽度相对较窄的 8Cdo20／n-Zn0双异质结构。 ZnCd0薄膜设计并制备出了p—znO，n—Zno 5、对p．znO／n．zno8Cd020／n．ZnO异质结的I．V测试表明，该结构具有良好 的整流特性。方向击穿电压大约为15V，大于文献报道znO同质结的值。这说 明了D—ZnO／n．znCd0，n．Zn0三层之间的电流输运机制是按照设计的量子阱结构 进行载流子的运动。 DC磁控溅射高温同质缓冲层 关键词： znO：(A1，N，H)薄膜 快速热处理 8Cdo．20／n-znO异质结 p—zn0／n—zno Abstract Zinc aII—VI semicoⅡductorwitha谢dedirectballd oxide(ZnO)iscompollnd of3．37eVat hasan arld mom exciton of60meV gap temperature．It binditlg energy emission of300cm～．Ductothese