掺质KTP晶体长及其性质研究.pdfVIP

摘 璎 摘 要 料，但高温溶液生长的KTP晶体C向电导率较高，这是限制它在电光方面应用 的原因之一。 本文采用高温溶液缓慢降温法分别进行单掺A13+、双掺A13+和BE+、单掺 Cs+离子的KTP晶体生长实验，得到如下生长工艺：采用【001]方向生长的籽晶： 晶体做正转一停止．反转运动，转速为30r／min，每80秒换向一次，换向间隙停转 11秒：以降一停．降的降温方式进行晶体生长，生长初期降温速率O．3～1C／day， 逐渐递增，两周后停止降温2～3天，随后恢复降温，降温速率为1～3C／day。 研究了掺质对KTP晶体生长习性的影响。发现掺Cs+的KTP晶体生长习性 发生很大改变，晶体a向生长速度极其缓慢，外形呈片状；而单掺A13+离子和双 晶体相比基本没有发生变化。 分析了KTP晶体生长过程中容易出现的缺陷如包裹体、台阶和开裂的原因， 还用化学侵蚀法观察晶体(001)晶面的位错蚀坑，并分析了缺陷产生的原因。 在交流电场条件下分别测定了所生长的纯KTP晶体和掺质KTP晶体c向电 晶体的c向电导率，且降低的幅度在2～3个数量级。对掺质KTP晶体的掺质分 配系数、晶胞参数、紫外一可见一红外透过光谱等相关性质进行了测试与计算，发 现掺质没明显改变晶体结构参数，对紫外一可见．红外透过光谱的影响也很微弱。 对A13+：KTP系列晶体进行了粉末倍频效应的测试，表明：掺Al”离子系列的KTP 晶体的SHG均比纯KTP晶体的有所提高，并且随着掺质浓度的增加，其粉末倍 频效应也随之增强。 总之，本文对掺质KTP晶体的生长以及性质、性能进行了较系统的研究， 得到了多项有意义的结论，但有些问题还有待进一步的深入研究。 关键词 掺质KTP晶体；晶体生长；晶体缺陷；电导率：相关性质 ABSTRACT ABSTRACT Potassium or isa nonlinear titanylphosphate(KTiOP04KTP)crystalsuperior material．ButKTP from solutionhas optical crystalgrownhigh—temperaturehigh C limitsits in areas． conductivityalongdirection，whichapplications electro—optical Inthis seriesofKTP with been thesis，a crystalsdopedA13+，Cs+，时Ⅶa2+havegrown from solutionsseedslow method．The respectivelyhigh—temperatureby cooling growth hasbeenobtainedas seed technique below：crystalin[001]direction；rotationstyle：clockwise rotationfor ll for rotation 80s，stoppings，counterclockwise80s，the speed30r／rain；thecooling from to in procedure：cooling0．3。C·day-11℃·day1increasinggradtmllyearly