氮和空位对直拉晶硅中氧沉淀的影响.pdfVIP

摘要 直拉单晶硅fcz)中的氧沉淀一直是硅材料学术界重要的研究课题。业己证明 空位和氮都能够促进直拉单晶硅中的氧沉淀。MEMC公司根据空位对氧沉淀的 促进作用采用快速热处理(R]rPl技术开发出一种新型的内吸杂工艺一魔幻洁净区 工艺(MDZ@)。另一方面掺氮直拉单晶硅(NCZ)由于具有较强的内吸杂能力已经 受到广泛的关注。然而空位和氮促进氧沉淀的机理还没有被完全阐明。本文采用 快速热处理(R]rP)在普通cz硅和Ncz硅中引入空位，然后通过各个温度单步退 火和模拟晶体生长的降温过程来研究空位和氮对氧沉淀的影响。本文得出以下主 要结论： 1．空位对氧沉淀的促进作用随空位浓度的增大而增强。空位对氧沉淀的促进作 用在looO℃左右最明显，在高温和低温阶段相对较弱。空位促进氧沉淀是因 为空位减小了氧沉淀的l临界形核半径并提供了释放氧沉淀产生的应力的空 间。 2．当低氮Ncz硅中空位浓度较低时，氮对氧沉淀具有一定的促进作用，氮对氧 。 、、～一一一 沉淀的促进作用在高温阶段(1100℃)比较明显。这主要是因为氮可以在过饱 和度较小的高温阶段，在同质形核比较困难的情况下促进氧沉淀的异质形核。 3．当氨浓度较高时，Ncz硅中的原生氧沉淀即使经过1280℃的RTP预处理也 不能完全被消融。高氮Ncz硅中残余的原生氧沉淀对后续退火过程中的氧沉 淀具有很大的影响。在后续退火过程中，间隙氧倾向于聚集在原生氧沉淀上 使它们长大。因而，氧沉淀的密度随退火温度的升高几乎不变而氧沉淀的尺寸 随退火温度的升高不断增大。 4．当空位和氮同时存在时，若空位浓度较高而氮浓度较低，则以空位对氧沉淀 的促进作用为主。当氮浓度较高时，由于硅片中的残余原生氧沉淀的影响， 空位对氧沉淀的促进作用并不显著。 5．当直拉单晶硅中的空位浓度较低时，原生氧沉淀的形成取决于间隙氧的过饱 和度，原生氧沉淀形成的起始温度大约在900℃左右。当空位浓度较高时， 由于形成氧沉淀核心所需的间隙氧的过饱和度可以减小，所以原生氧沉淀可 以在更高的温度下形成。1280℃的R1lP预处理引入的空位浓度可以将原生氧 沉淀的形成起始温度提高到1100℃左右。当掺氮直拉单晶硅中空位浓度较低 时，氮对原生氧沉淀显著的促进作用可以从1100℃开始即可显现出来。当掺 氮直拉单晶硅中空位浓度较高时，氮对原生氧沉淀的促进作用在1050℃以下 表现得不明显，此时空位对原生氧沉淀的促进作用占主导地位，而氮对原生 氧沉淀的促进作用主要表现在高温的阶段。 关键词：直拉单晶硅、氧沉淀、空位、氮 II Abstmct in has beena of 0Xygenprecipi协tionczochmlski(CZ)siliconlong su巧ect t11at hasbeenwellestablished and caIlerlhaIlce sigllificaIlce．n vacancy11i订ogen a world、vide siliconw船强 company， leading oxygenprecipitafion．MEMC has a basedintemal m删f如turer，developedr印id-t11emal·pmcessing(RTP) named denuded aner“magic gettering(IG)technolog