水热构筑ZnO维结构材料.pdfVIP

摘要 摘要 宽禁带半导体ZnO材料由于具有优异的光电性能引起了人们广泛的兴趣，其 在紫外激光器、太阳能电池、传感器等方面有着广泛的应用前景。ZnO的自组织行 为使人们可以获得许多形态各异，特殊用途的低维材料及其器件。 目前对ZnO低维材料的研究多集中于制备新的形貌及高度取向的阵列方面， 很少有关于控制材料尺寸的提关报道。本论文针对此问题，采用简单的水热过程， 自组织生长了ZnO微米管，并通过在基片上预先生长zno中空球的方法实现了对 微米管的可控生长。对自组织生长和可控生长的ZnO微米管分别进行了制备工艺 及光学性能的研究； 1．研究了自组织生长ZnO微米管的制各工艺，认为以前驱物浓度为0．5M01／L， 温度为120℃保温2小时，185℃保温6小时的条件下能够制备出形貌规贝Ij的ZnO 微米管。 2．研究了自组织生长ZnO微米管的发光性能，存在较强的近带边紫外发射和 较弱的深能级发射两部分发光。热处理对紫外发光和深能级发光的影响不同， 450℃以下的热处理能够提高紫外发射，抑制深能级发射，450℃以上的热处理则 会增强深能级的发射。降低紫外发射。 3．探索以预先生长了ZnO中空球层的玻璃基片为衬底实现ZnO微米管的可控 生长的研究。结果发现ZnO中空球层对ZnO微米管的生长起到了晶核的作用，能 够在玻璃衬底上形成形貌规则的ZnO微米管；改变ZnO中空球的粒径能够改变所 形成的ZnO微米管的尺寸，从而实现了对ZnO微米管的可控生长。 4．研究了可控生长ZnO微米管的最佳工艺条件：前驱物溶液浓度为0．5Mol／L， 185℃下保温6小时。 5．研究了可控生长条件下的ZnO微米管的发光性能，结果发现也存在两部分 发光：较强的近带边紫外发射和较弱的深能级发射。 关键词：ZnO，水热，热处理，光致发光，可控生长 Abstract Abstract Zinc awide—band semiconductorthat excellent oxide(ZnO)isgap possesses andelectronic asaresultit a broad of optical properties，and stimulates range in interest．Itshows ultraviolet researching greatpromising Lasers，solar applications andSOon．Low—dimensionalZnO havevarious cells，sensors materials，which shapes and anddeviceCanbc ZnO specialproperties， acquiredthroughself-organizedgrowth． At researchonlow-dimensionalZnOmaterialsisconcentratedinnew present，the the and about controlled ofmaterials’ shapeswell-alignedarray,nearly growth dimensions．Inthis