近化学计量比铌锂薄膜的制备.pdfVIP

摘要 本论文对铌酸锂材料的发展历史进行了回顾，并对其基本性能、制备方法、表征方法、 应用前景及面临的问题等进行了阐述。 详细介绍了溅射原理和成膜方法，及其在铌酸锂薄膜制备中的应用。 本实验采用循环间歇射频溅射的方法，通过对实验参数的不断改进，在Si0：／Si和单晶 Si衬底上制备出了铌酸锂薄膜，并采用XRD对薄膜的结晶性能进行了分析。系统地研究了 溅射工艺参数对铌酸锂薄膜生长的影响。本研究探讨了： (1)衬底温度对铌酸锂成膜的影响 铌酸锂薄膜的(006)取向度随着衬底温度的升高出现先增后减的趋势，但是缺锂相 的衍射峰强度呈现同铌酸锂薄膜的(006)取向度相反的变化规律，即如果铌酸锂薄膜的 (006)的取向度较好，则缺锂相衍射峰的强度也会相应减弱。实验得出，采用循环间歇 射频溅射法制备C轴择优取向的铌酸锂薄膜，500C为适合薄膜生长的衬底温度。 (2)气体比例对铌酸锂成膜的影响 随着Ar／02比例的增大，Ar气含量增加，从而提高了Ar+离子轰击靶材的几率，溅射速 率增加，但同时也造成了溅射气体粒子自由程减小，溅射气体和成膜粒子的散射几率增加， 沉积速率降低。如果溅射过程中未能充分补充02。离子，使铌酸锂结晶困难，则不利于薄 膜的生长。 =6：4为生长c轴择优取向的铌酸锂薄膜的适宜氩氧比条件。 (3)溅射气压对铌酸锂成膜的影响 随着溅射气压减小，铌酸锂薄膜的结晶性越来越好，但是在低气压时存在一些杂相， 而且如果溅射室的压强太低则导致射频溅射不易起辉。所以0．8Pa是比较适宜的溅射气压。 (4)缓冲层对铌酸锂成膜的影响 利于薄膜的生长。 通过对铌酸锂薄膜生长条件的探索，我们得出了在单晶Si(100)衬底上生长C轴择优取 时我们还研究TSi02缓冲层的厚度对铌酸锂薄膜成膜的影响，合适的缓冲层厚度有利于铌 酸锂薄膜沿C轴择优取向生长。 关键词：铌酸锂薄膜，硅基，c轴择优取向，射频溅射 Abstract niobatewas Inthis oflithium reviewedandt11ebasic thesis．thehistory briefly properties， andresearchoflithiumniobateweresummarized． preparation survey thin The of andits inlithiumniobatofilms sputteringtechnologyapplication principle wereintroduced． preparation WCle aswellas Thelithiumniobatethinfilms on preparedSi(100)substratesSi(100) with intermittent underdifferent substrate buffercircle Si02 system by R．Esputtering t11illfilms conditions．Thelithiumniobatc WgTe obtained experimental