金属离子束注入蹄化镉薄膜材料的改性研究.pdfVIP

摘 要 CdTe具有良好的光电学性质和化学性质，因此成为制各高效率、低成本的多晶薄膜 太阳电池理想的吸收层材料。本文针对CdTe薄膜，研究了其制备工艺、掺杂和后处理条 件对薄膜结构、形貌和光电学性质的影响。 本论文首先采用近距离升华法在不同基片上制各CdTe薄膜，研究了不同工艺条件和 参数对CdTe薄膜性质的影响。其次，在常温下，本征CdTe薄膜均为高阻半导体。为了改 善其导电性能，通常向CdTe薄膜中掺入施主或受主杂质，其中离子注入技术是掺杂方法 之一。目前，用离子注入的方法在CdTe薄膜中掺杂的文献报道的很少。本工作目的就是 采用离子束注入的方法对纯CdTe薄膜进行不同金属元素的掺杂及热处理，研究其结构和 光电特性。再次，由于离子注入会对薄膜表面的结构造成损伤，本实验把被注入离子的 理对晶格表面缺陷的恢复有很重要的作用。最后，利用xRD、SEM、紫外可见分光光度 计及Hall测试系统研究其结构，表面形貌和光电性能。结果表明，通过离子注入的方法 电导性能大大提高，且显P(N)型导电。． 关键词：近距离升华：离子束注入：CdTe薄膜：退火 III toits and chemical isanidealabsorber Owing optoelectronicproperties，CdTe materialfor thinfilm high—efficiency，lowcostpolycrystalline．Thethesishas the and characteristicsofCdTe investigatedstructural，figureoptoelectronic thin of the polycrystallinefiIms，theperformancedopedCdTe，andinfluenceof their andanneal deposition ingprocess． CdTethinfiIreswere ondifferent Firstly，Thepure prepared substrates by close spacesublimation(CSS)method．Wehave theinfluenceonthe investigated characterof CdTethinfiimswithdifferentconditionsand normal thinfi parameters．Secondly，in imsare block temperature，CdTe high its mix semiconductor，forimprovingelectricitycapability，wecommonly benefactoror intothe CdTethin Ion acceptorimpuritiespure fiIms，the impla