铁电薄膜电容分的扫描探针显微镜研究.pdfVIP

摘要 摘 要 本论文的主要目的是利用不同功能的扫描探针显微镜(SPM)可在不同的环境 下工作、制样简便、可视化、分辨率高、非破坏性、易实现不同功能扫描探针显 微镜的同步测量与互补的诸多优点，对铁电薄膜局域的电性能进行检测与分析， 研究铁电薄膜微区电容分布的相关现象，为铁电薄膜材料与铁电薄膜器件的研究 与开发提供借鉴。本工作主要分为以下几个部分： 从研究铁电薄膜的压电响应力显微镜(P刚)和扫描非线性介电显微镜(sNDM) 成像的影响因素入手，讨论了针尖对成像质量的影响；为降低实验成本、减小导 电探针针尖状态变化对铁电薄膜微区电性能测试的负面影响，提出了以非导电探 式成功实现了新方法对铁电薄膜极性分布的表征。 分布变化和铁电薄膜结晶情况的表征和分析，研究了PzT铁电薄膜和PLT铁电薄 膜的晶化过程，分析了不同退火时间对PzT铁电薄膜微结构，不同退火温度对PLT 薄膜的微结构和微区极化分布的影响，有效克服仅依据形貌特征判定铁电相与非 铁电相的局限性，实现铁电薄膜微区晶化过程的可视化分析，丰富了晶化过程的 研究方法。 利用SNDM，建立了铁电薄膜微区的电容一电压(c-V)特性的测试方法，讨论 了半导体一氧化膜界面的陷阱对N型金属一氧化物一半导体C—V特性的影响；推导了 03 (PLCT)铁电薄膜的占一，建立了铁电薄膜微区电畴的c—V测试方法，发现矫顽 场小的铁电薄膜单畴C—V曲线呈非线性变化，矫顽场大、受外加偏压影响小的电 畴的c—V曲线呈线性变化。 利用SNDM，从纯电学的角度观察了PLCT薄膜中的电畴动态反转过程，由电畴 横向扩张的移动速度的降低，发现了晶界在电畴反转过程中对畴壁移动的阻挡作 畴反转过程中电畴是楔形畴；用PFM观察同一电畴在去掉外加反转电场后电畴的 极化弛豫现象，结果表明空间电荷是发生极化弛豫的主要原因。 耋霪鬟蘸慝薹毳莓暮霉耋耋 攀r套裂 iii§!|一÷!； j；{冀薹耋?蓁囊融辇蠹鏊墓摹蕈萎萋善囊耋?萋妻薹亳：§ll!j !ii毫蓁孽i篓鳓掣饕囊雪蔓蚕譬篓票鏊薹篆骥蘑茎蓦蓄荔童蓄霾萋墓=耄鬟：：l|{．；l； 妻萎j；ij三 !；i蚪基萋：藿器囊蒂州奏9羹=薹一雾．囊萋；囊蒿筝誊萋?iii；；≤；i一；；l ii；意￡!：参囊娄=譬薹耋．蠢鋈差菁囊耋萎萎羹!÷羹馥辇茎耋箸j罐羹，|i二i=l；÷；；§～li； i÷i蓁萋孽：主篓二囊蠢，∥耄蒌荔薹董i罩j蠢薹；篓童摹鐾毒：lii! i著i三。霎；萼jj≥妻蚕妻妻量．攀j耋§?薹蠹鼍；耋§蠢孽宅主主§；ii兰!萼iii鎏j甍i；至至呈?譬。枣童童；÷毒毒三!。二l*堡章，薹誊： !圣薹至一!；曼至 i虿{垂；主呈囊耋三；篓囊垂辇j字}；丢}i耋至。要莹莹耋§蓦皇季三章至毒萼喜亭：g翟爹譬要嚣；i!；矗蟊g妄量：耋孝j一；三l!ii；；舅}雩?二 |辜毫差。 茎妻； ≠詈喜一}薹霉 孽；；薯越|i毒差暮毒萼襄鞋，o主暑；；j；?霉．薹甚$!．量量李；j：≥重主蚕!耋羹!毽喾喾：一茎砉主； ；雪l rj奠一喜≤=，要．；j}}§j二iFFf：rri耋}主主÷}j{善i妻妻蛋}!孳i j!ii；ij害；毒毒莲jl；i}；iiii；-i罩妻蚕暮l 兰事吉目募弭?1{!}＆薹吾lif等：妻；奏至茎耄差鼋；垂薯塞薹}}摹毒耋辜茎雾li}圭l差j霎垂}；兰j；?i茗!薹耋=j÷。三至薹囊： 耋：耋§i霉：鸶善；主一垂毒暑暑 苎二兰!!宣 一一 第一章引言 1．1本课题研究背景 铁电薄膜是一类具有自发极化，且自发极化的方向能随外加电场的改变而改 变，厚度在数十纳米至数微米的重要的功能性薄膜材料…。由于下述的三个主要原 因，使其成为目前高新技术研究的前沿和热点。(1