静电对硅衬底GN基LED老化寿命特性的分析与研究.pdfVIP

摘要 摘要 近几年来，在硅(Si)衬底上生长GaN材料已经取得了很大的进展，并已制 作出实用化的si衬底GaN基蓝绿光发光二极管(LED)。众所周知，器件的可靠 性直接关系到技术的商业价值与产业化，因此，Si衬底GaN基LED的可靠性研 性研究的报道已有不少，但Si衬底GaN基LED作为一种全新的产品，对其可靠 性特别是抗静电能力的研究还鲜见报道。 本论文主要对Si衬底GaN基LED的发光性能、电流加速老化、静电对老化 寿命的影响等方面进行了研究，获得了如下一些有意义和部分有创新性的结果： 1．研究了室温时Si衬底GaN基上下结构蓝光LED特征参数随电流的变化 关系，EL积分强度与峰值波长随电流的变化关系，并与A1203衬底GaN基LED 进行了对比。结果发现，室温时峰值波长随电流的增加都是先红移后蓝移，本 文认为，这种现象是有源IBGaN层的带填充效应与样品内热效应的竞争机理所 导致的。 化特性数据。通过对衰减系数的拟合，得到了额定工作电流20mA时的衰减系 数，由此计算得到，本次实验的Si衬底和A1203衬底的Gab／基LED器件的寿命 分别为1．8l万小时和2304小时。结果表明：本实验室研制的Si衬底ClaN基蓝 光LED有相对更好的可靠性和更长的预期寿命。这也说明，Si衬底GaN蓝光 LED器件在应用中将有更大的优势。 3．首次报道了不同的静电对Si衬底GaN基蓝光LED寿命的影响。实验采 用100V、500V和1000V不同的静电对器件分别进行击打，然后再进行老化。 试验数据显示，经静电击打后样品的预期寿命均逾2万小时。实验表明，硅材 料作GaN基LED的衬底，器件具有良好的抗静电特性。 关键词：Si衬底； GaN；LED；静电：寿命；带填充效应；热效应 Abstraet GaN anditis of onSisubstmtehasmade Recently,growth greatprogress thatGaNbasedluminescencedeviceson substratehavebeenfabricated reported Si some on ofGaNbased diodes(LED) by groups．Yet,studyproperties light-emitting onSisubstmteisfarfrom of ofGaNbasedblueor profound，inreliability spite whiteLEDon orSiCsubstratehadbeen sapphire largelyinvestigatedbymany and onanti-electrostatic aswell researchers．Byfar,analysisstudy dischargeability LEDsSi are not as ofGaNbased on new reliability substrate，whichproducts，has been this ofelectrostatic dissertation,experimentdischarge(ESD)