正切平方势单量子阱的本征值和本征函数.pdfVIP

第 27 卷 第 5 期 发 光 学 报 V ol127 N o15 2006年 10 月 CH INESE JOURNAL OF LUM INESCENCE O c t. , 2006 : 1000-70 32( 2006 05-0656-05 正切平方势单量子阱的本征值和本征函数 胡西多, 邵明珠, 罗诗裕 ( 东莞理工学院, 广东 东莞 523106 : 鉴于/ 方形0 势阱描述量子阱中的电子运动行 过于简单、过于理想, 引入了正切平方势来代替, 使结 果得到了改善。在量子力学框架内, 利用正切平方势把电子的 Schrd inger方程化 超几何方程, 利用系统参 数和超几何函数严格地求解了电子的本征值和本征函数, 并以 G a A l A s-G aA s-G a A l A s量子阱 例计算 1- x x 1- x x 了电子的能级和能级之间的跃迁。结果表明, 电子在量子阱中的能量是量子化的, 而相邻能级之间的跃迁给 出与实验进一步符合的结果。 : 超晶格; 量子阱; 超几何方程; 单粒子能级; 本征值; 本征函数 : O 471. 5; O 472. 3 PACC: 6160; 7125T; 7340L : A 征, 比如, 势阱中电子能量状态的量子化, 平行薄 1 引 言 膜方向的电子运动表现出的二维特性等。如果相 从 20世纪 70 年代开始, 半导体超晶格和量 邻量子阱之间距离进一步靠近, 电子( 或空穴 波 子阱就一直是半导体物理学最重要的发展方向 函数将发生重叠, 原来的单个能级将分裂成带 之一, 也是半导体物理学最活跃的前沿领域 ( 称 子带 。子带与子带之间依然存在能隙, 这 [ 1~ 7] 之一 。所谓超晶格就是将两种晶格常数 ( 略 就是所谓子能隙, 而这些子能隙的宽度与子能带 微 不同的材料交替生长而形成的多层薄膜结 的宽度也可以人 设计, 使得这种半导体微结构 构。正是由于超晶格的特殊几何结构, 引起了人 的宏观性质 ( 特别是光电性质 呈现出丰富多彩 们对它的极大兴趣。随着薄膜生长技术的发展, 的变化。 人们对晶体生长过程的控制已经可以精确到一个 当然, 只要多量子阱或超晶格势垒层足够厚, 单原子层, 超晶格材料的组分和层厚均可以人 量子阱之间的相互作用可以忽略, 就可以把超晶 控制, 从而得到了、而且还将继续得到与均匀半导 格视 单量子阱的周期重复, 超晶格的整体行 体材料不同的光电特征。 可视 单个量子阱的线性叠加, 而多量子阱问题 事实上, 人们不仅早就知道如何利用能带结 就退化 单量子阱问题。人们讨论得最多的量子 构已知的材料, 而且, 还知道如何根据需要去设计 阱是一个理想的/ 方形0势阱, 并从这种势阱出发 和制造能带结构特殊的材料。比如, 可以人 地 计算了电子能级和波函数, 定性描述了超晶格光 改变材料的能隙( 禁带 去适应技术的需要, 制造 电特征。结果发现, 与大块材料不同的是, 在讨论 出了多量子阱和超晶格, 这就是所谓能带( 或能 量子阱的光学性质时, 不仅要考虑带间跃迁, 还要 隙 工程。利用薄膜生长技术, 可以通过控制材 考虑带内跃迁, 而相应的跃迁强度、选择定则等都 料的厚度来调整阱宽, 控制组分来调整阱深。如 由超晶格的能带结构决定。