Co基合金的马变及磁控形状记忆效应探索.pdfVIP

—— f：塑奎丝叁鲎业!：堡墨—— co基合金的马氏体相变及磁控形状记忆效应探索 摘要 ＼， ＼磁控形状记忆(MSM)材料兼具PZT或磁致伸缩材料和形状记忆材料的优点，在 磁疡控制下表现出大输出应变和高输出应力，以及响应频率快和可精确控制的综合优 良特性，使其可能成为未来新一代驱动器和传感器材料， 本文选择co—Mn与co—Ni合会系统作为研究对象，它们均属于完全固溶体系统， 具有良好韧性，相变温度容易通过调整成分比加以控制，居里温度远高于室温，具有 高磁晶各向异性和高饱和磁化强度，因此可能具有MSM效应。本文通过x一衍射、会相、 TEM等手段对Co～Mn蒸和co—Ni基合金的显微组织和结构进行了研究；并采用电阻、 研究了相 膨胀、磁性和内耗等手段对y(fcc)付￡(hcp)马氏体相变温度进行了测量， 变特性及其影响因素和应力诱发马氏体相变；测量了温控形状记忆效应，研究产生温 控形状记忆效应的条件，并探讨了加入第三元索Si的作用；用X一衍射线形法测定了 合会母相的层错几率，从热力学角度建立起层错几率和层错能的关系并讨论了它们对 马氏体相变的影响。在此基础上选择合适的合余成分，进行单品制备，测定单晶的温 控形状记忆效应和磁诱发应变，研究磁诱发马氏体相变发生的条件。以上研究为进一 和完善这类磁控形状记忆材料奠定了理论和实验基础。 一 鍪于co基合余的马氏体相变研究结果表明，co—Mn和co—Ni基合余具有典型的 v—e六方马氏体相变特征，相变点地分别随Mn与Ni含量的增加而降低，在Co—Mn合盒 co—Mn合会在发生马氏体相变时，内耗峰并不对应子母相模量的下降，表明其形 核无需籍软模或区域软模。内耗峰的大小随着频率的增加而减小，而内耗峰的位置没 有变化，属非弛豫性内耗。逆相变时，模量有一定软化，显示半热弹性特征。co—N1 合会的热诱发马氏体相变和逆相变中，层错化和软模共同作用完成相变过程。 通过热力学计算得到Co一№合金温度T时的层错能 其中T。为各成分合金中fcc(Y)相与hcp(￡)相的平衡温度。 x衍射结果表明试样的层错几率随Mn或Ni含量的增加而减小，层错能y与层错 摘要 Co—Ni合金中 几率P。的关系可表达为：co～Mn合金，Y=5．53X10一／p。J·m～； =2．27X 算值相近。co—Mn和co—Ni合余的马氏体相变点随层错几率的升高而增加，随层错能 的降低而升高，经线性拟合得到M。与Psf的关系式：在Co—Mn合金中， M。=662．4一1．36／P。I，在合金Co—Ni中，M。=689．6-0．64／P。f。 测量结果表明，co—Mn—Si三元合金的层错几率比coMn二元合金有明显的提高， 说明Si元素的加人降低了层错能，提高了马氏体相变点。 合金的自由能与温度的函数，并由此计算出合金的层错能。 对于多晶力学行为和温控记忆效应的研究表明，在Co—Mn二元合金，随着Mn含量 的增加，临界应力下降，合金的形状回复率和可回复应变均有不同程度的下降。合金 的形状回复率经热机械训练后得到改善，这与训练提高了奥氏体屈服应力，并略使应 力诱发马氏体临界应力下降有关。 随着Ni含量的增加，Co—Ni合金的形状回复率有下降的趋势。Ni含量增加，应 力诱发马氏体相变临界应力和地温度下降。 在co基合金中，加入适量的si元素(3at％左右)通过强化母相基体及降低层错 能，从而改善了形状记忆效应。 测定了Co—Ni单晶的基本磁学特性，单品在室温条件下母相和马氏体相的磁化曲 线显示，马氏体相难于磁化，磁化功大，磁场强度达8kOe还米饱和；而高温母棚的 磁化功较小，易于磁化，当外磁场强度达到20KOe后，两相均达到饱和且无差别。 方向的样品临界应力最低，且具有部分形状记忆效应，其它方向的样品l临界应力较高， 且均无形状回复。对[001]方