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塑至 ——一一 VLSI器件氧化层可靠性的研究 摘要：目从在硅平面器件采用二氧化硅来进行杂质的掩蔽扩散和作为钝化层介质 以来，绝大部分的硅器件表面都离不开硅一二氧化硅界面结构，二氧化硅的性能 极大的影响着器件的性能。佩据先进半导体制造有限公司的生产实际，本文主要 研究了热载流子注入栅氧中对器件性能的影响以及用热脱附谱研究掺磷氧化硅 吸收水分这两个问题。 1)在热载流子分析与模拟中，通过建立一个热载流子注入栅氧中的模型来深入 研究热载流子对栅氧影响的主要机理，并且用这个模型来模拟在热载流子注入情 况下器件的内部电场、衬底电流、阈值电压和跨导随时间的变化，并对实际 MOSFET作了，一y特性曲线和跨导变化量随偏压时间的实验测试。(理论分析、 实验结果与模拟结果都符合得很好。为改善MOSFET热载流子效应，在这部分 的最后作者提出了一种对轻掺杂漏区(LDD)的优化结构，优化后的LDD的模 拟结果显示比优化前的LDD能更有效降地低沟道中的峰值电场，减小热载流子 数量和抑制热载流子注入栅氧，并且这种结构的工艺和轻掺杂漏区结构工艺是兼 、 容的。4 ／ 生长的，在生长过程以及以后的工序中容易吸收H20。TDS是由25℃开始以20 出H20在PSG中的可能结合形式。f建立生长、吸附、扩散和脱附等几个过程的 模型，通过实验测量了PSG中脱附的H20随时间、温度、湿度等环境条件的变 化关系。在VLSI多层布线中这些结果决定了许多工艺参数，如烘烤时间、金属 淀积前的等待时间等等，然后提出一系列的改进措施来提高产品的可靠性。 优化LDD结构以及优化和掺磷氧化硅有关的生产工艺这些措施成功地运用 于ASMC的VLSI的规模生产中，获得良好的效果，成为常规工序。q 关键字：二氧化硅i热载流子，’轻掺杂漏区结构，掺磷氧化硅j Abstract Abstract：Theoxidehasbeenan ofthe importantpart VLSIdevicessinceitwasbeen usedasthemaskindiffusionandthe influences passivation．Oxideperformance devicecharacteristicthis two oftheoxide． greatly．Inpaper,we investigatepoints intothe oxideinsubmicrometerMOSFET’Swouldcause 1)Hot—carrierinjectiongate devicefailure．Thesecond ofthis thefailuremechanismand chapter paperanalyses thiseffect．Theoreticalcalculationsinclude modelof intemalelectricfield． physical and substrate ofthreshold transconductanceandthehot—carrier current，shift voltage effeCtinnMOSFET’SiSsimulated．Wehavealso the testson completedexperimental