LED器件及芯分析技术的研究.pdfVIP

摘要 LED器件及芯片分析技术的研究 摘要： 半导体发光二极管具有高转换效率、寿命长等优点，被认为是下一代光源并将 会取代目前使用的传统光源。然而就目前发光二极管的性能来看，要达到这一目的 还有很多技术难点有待克服，需要在材料分析表征、器件分析技术等方面加大研究 力度。 本文针对5mm封装发光_--极管器件及InGaAIP外延片，综合运用多种结构及组 分分析技术：光学显微镜、超声扫描显微镜、扫描电子显微镜、x射线能谱、透射 电子显微镜、二次离子质谱仪等，对发光_--极管器件的封装结构以及芯片的结构、 组分和界面状况进行了详细的分析观察。为器件的失效及结构分析，外延工艺的监 控、改进和提高等提供了分析测试方面的技术参考。 关键词：发光二极管(LED)，LED器件分析，微分析技术，超声显微镜 ResearchofLEDDeviceand Wafer AnalysisTechnology Epitaxy Abstract： Semic』3nductor havebeenfookedas函enext f秘temittingdiodes(LEDQ sourcesare to sources．Traditional destinedbe by generationlighting lighting replaced their and farexceedsthat LEDsbecause potentialefficiencylongevity lighting ofexisting state—of-the—artLED isfarbelowthis performance limit， technologies．However,current that and it severaltechnicalobstaclesbeovercome．Itshould reachingrequires major put moreattentioninthese thedistributionofmaterials areas，including analysis，device analysistechnology,etc． Inthis focuson5ram LEDdeviceandInGaAIPwafer． thesis，We packaging epitaxy of andthe A theLEDdevice structure analysis packaging epitaxystructure，component， interfacewillbeintroduced this detailedly．Bymeans，somemicroanalysis techniques，