MOCVD方法长硅基GaN与Al_xGa_（1-x）N薄膜及其性能研究.pdfVIP

L．PI：肫iiff咒 MOCVD々i上‘EK肝墙GaN。』AI。GahN．肆膜肚I 摘要 近年柬，GaN受其合金材料以其优异的物理与化学特性在蓝绿光发光二极 昔、激光器，以及高温、大功率、高频电子器件方面有着广阔的应用前景。常t嗯 的氮化镓基器件通常是制作在蓝宝石上的。然而，由于蓝宝石衬底自身绝缘且硬 度赶，器件工艺复杂，制作成本费用高：而且由于它导热性能差，不利于大功率 器件的制作：硅衬底则可以克服这些不足。 本论文总结了国内外OaN基材料与器件的研究历史、现：吠以及存在的问题， 刊用目行设计并制造的MOCVD系统，采用特殊的缓冲层技术，在si对底上成 功生长_『高质量的GaN外延层与AI、GahN外延层．并对其性能进孝了全面的研 竞。生长的GaN薄膜晶体质量较好，其高分辨XRD回摆曲线半高宽为目前国内 文献报道的最优值．达到国际先进水平。 论文的主要内容如下： 、 自制MOCVD系统的调试及参数优化。针对新建的MOCVD系统， 我们对其进行了调试以及参数的优化，并在蓝宝石衬底上生长了OaN薄膜。同 对也解抉了一些实验过程中所面临的问题并对部分结构进行了优化与改进。 二、 高质量的硅基GaN薄膜的外延生长，使用优化后的生长工艺，我们 使用高温AIN缓冲层生长了具有高晶体质量的硅基GaN外延薄膜。对GaN薄膜 的原位退火工艺将有助于薄膜晶体质量的提高。退火后的GaN薄膜的(0002)峰的 过的最优值。 三、 对薄膜的拉曼光谱测试表明OaN薄膜处于张应力状态。这是GaN薄 膜个别区域出现裂纹的直接原因。SIMS测试表明高温下OaN薄膜与si衬底之 间有着一定程度的扩散现象。 四、 生氏了衍合器件要求的硅基At。Gal．。N外延层。经高分辨XRD分析， lj664arcsec。AI的庠尔 AIGaN(0002)、f0004)7h射峰的半高宽分别为703arcsec 组分为228％，己达到LED器件肘势垒层的要求， }所i【L≯“目f-7：他仑义 MOCVD玎沾7￡Kfrf硅GaN’』AI、GahN，译n锤MICrtf也川‘ft． Abstract in Nitrideasawideband semiconductorhasattracted recent)ears，Gallium gap more more and attentionforits in applicationsbtue．green diodes(LED)， lightemitting laser diodes(LDl．and electronic as devices，suchHEMTsHowever,theGaN—baseddevicesarelhbricated majorityof on substrate．whichhas thedevice sapphire many to fabrication disadvantages as nature．hardtocleave．Siliconsubstrateisa11excellent processes．such insulating altemativeto is andhasmuch sapp