VLSI金属互电迁移的噪声检测技术研究.pdfVIP

摘 要 憾着微电子器件向深亚微米量级发展，超大规模集成电路封装逐步趋于小型化、密 集化。作为VLSI互连线的金属薄膜的截面积越来越小，其承受的功率密度急剧增加， 使得电迁移成为电路的主要失效模式之一9)本论文在简要介绍电迁移失效机理、噪声理 论和l／f信号表征方法的基础上，对各种电迁移可靠性实马佥{平估方法(传统的寿命测试 法、电阻变化测量法、噪声测量法)的特点作了分析对比。重点研究了VLSI金属互连 电迁移噪声检测技术。基于对国内外相关技术发展动态与现状的研究与分析，完成了金 属薄膜的电迁移微弱噪声信号测试系统的设计，并实现了数据的自动采集与处理。通过 加速寿命实验和对样品的噪声测量，获取了样品电迁移过程不同损伤程度的噪声数据。 对实验数据和结果做了对比分析，找到了与电迁移相关的噪声表征参量的变化规律。研 究结果表明噪声有可能用于电迁移可靠性表征。而且与其它传统的测试方法相比，噪声 方法有着测试条件接近正常工作状态、测试时间短、敏感度高和非破坏性等优点，有较 好的应用前景。 关键词：VLSI金属互连电迁移可靠性评估噪声测试 Abstract tOthe of Withthe ofelectronicdeviceslevel ofsub-micrometer,the development package smaller than men is much anddenser VLSI before．Consequently,the becoming areaand madethe sectional ofVLSIhavesmaller carry powerdensity,which increasing main ofthe latent becomeone reliability elec仃ornigration damagemodes．Obviously,the Al ofthe ofVLSI’sinterconnectsis assessment ofgreat electromigration importance． h自f,er the mechanismof theoriesand damage electromigration,noises brieflydescribing kinds methodsof of signal methods，manyexperimentalassessing processing test of