Ga-M-O系制备和氧敏特性研究.pdfVIP

摘 要 本文从无机盐溶胶一凝胶方法出发，合成了目前常用PVD方法制备的氧化 镓高温n型半导体材料，并研究了其氧敏特性，阻温特性和响应时间，同时合 成了含镓系复合氧化物，并研究了相关特性，提出了类尖晶石结构材料氧敏特 性模型。 首先，实验以柠檬酸和三氯化镓为原料，以水为溶剂，制备得到了单一相 的氧化镓薄膜，从而证实了氧化镓薄膜溶胶凝胶方法制备的可行性，并确定了 溶胶配方，烧成制度，最佳成膜次数和氧化铝基片对薄膜的影响。结果表明， 浓度为0．45M的溶胶，在氧化铝基片上涂覆，800。C预处理，800C烧成，可以 得到表面形貌较好的薄膜，就灵敏度而言，9次涂覆成膜得到的氧化镓薄膜具 有最好的特性。 其次，通过实验发现，氧化镓薄膜在900。C具有一定的氧敏特性，气氛从缺 氧态向富氧态转化时，薄膜的响应时间为2ls，从富氧态转化为缺氧态的响应 时间为62。 弭次，研究了含镓系复合氧化物的溶胶．凝胶制备及特性，发现易变价离子 的引入，可引起此类尖晶石结构复合氧化物中的阳离子平衡扰动，因而影响到 5，1 材料，在^=1附近，阻值突跃分别为2，23个数量级。 、／ 最后，研究了GaFeO，薄膜的溶胶凝胶制备工南T并对其特性做了进一步的 探讨，发现800(2预处理，800℃热处理，9次成膜得到的薄膜，氧敏特性最佳 工作温区为600．800℃，薄膜材料从缺氧状态向富氧状态转化的响应时间为 075s， 态向缺氧状态转化的响应时间为29s，可作为一种新型的基础 氧敏材 关键词：无机盐溶乡凝胶法，氧化镓薄膜，复合氧化物， 氧敏特性，尖晶石结构 ABSTRACT isoften oxide by prepared As semiconductor,13一gallium n．type high—temperature of and time 0’gallium this sensitivityresponse PVD．Inpaper,synthesis，oxygen sallle beenstudied the filmhave thin oxide bysol—gel．At - studiedinthe been have G—M一0 oxide and timeof l sensitivitv compositive response ^