NiTi形状记的织构及残余应力.pdfVIP

NiTi形状记忆合金的织构及残余应力 摘要 NiTi形状记忆合金由于具有出色的形状记忆效应(SME)和超弹性(PE)效应而倍受 人们关注。(尤其是随着集成制造技术、微机电系统的迅猛发展，NiTi薄膜作为优良的 驱动器兼传惑器材料，更是成为研究热点。从应用的角度出发，SME和PE好坏的衡量 指标中，回复应变和回复应力主要取决于在热或应力诱发下，能发生多大的相变应变。 包括母相与马氏体相、母相与R相、R相=马氏体相、R相变体再取向以及马氏体相变体 再取向过程的应变。，=卜r+ 由材料的各向异性现象和薄膜器件制造中的应力失效出发，本文选择织构和残余 应力为目标对NiTi形状记忆合金进行相关的系统研究。理论方面：结合马氏体相变唯 象理论WLR模型的SchmJd因子判据和晶格变形理论的相变应变计算，建立了单晶NiTi 合金B2专M、B2)R以及R专M的相变应变模型，计算单晶相变应变。／在此基础上，采用 应变无约束模型，通过三维取向分布函数(0DF)构造反极图，并以反极图数据点为 中心对投影球面进行不等球面划分，建立了多晶NiTi相变应变模型，用加权平均方法 计算多晶相变应变。与此同时，利用金相、透射电镜(TEM)、热分析(DSC)、x射 线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)等手段，通过拉伸、纳米压入等试验测量NiTi 合金的相变应变；通过弯曲法、x射线掠射法以及纳米压痕法测量带基板NiTJ薄膜的 残余应力…∥…、 用本文建立的单晶相变应变模型计算的单晶相变应变与前人试验结果相当吻合。 用多晶相变应变模型对不同冷拔变形率的NiTi丝材、热轧板材、不同冷轧变形率的冷 轧板材以及热基板溅射薄膜的相变应变进行模拟计算，f结果表明：由于实际晶体中的 晶界约束和晶体缺陷阻碍晶粒变形，NiTi多晶的相变应变理论计算值和试验测量值所 反映的变化规律一致，绝对值则普遍高于测量值。 不断增大。通过分析其丝轴反极图发现：随着冷拔变形程度的增加，(355)、(111)、(112) (01I)等相变应变值高的取向位置上的轴密度逐渐上升，从而导致总体宏观平均相 变应变不断增大； 采用不同的热处理条件：700℃X 温下分别获得单一母相、R相和马氏体相的NiTi热轧板材。ODF分析表明：700C退 较低；沿与轧向成不同角度方向取样并进行拉伸试验发现：NiTi热轧板的相变应变具 有明显的各向异性，即沿轧向(RD)的相变应变最大，沿横向(TD)最小，沿与轧 向成45。方向则略低于轧向。通过不同取样角方向的反极图分析认为，相变应变的这 种各向异性与不同取样角时(355)、(122)和(012)极点附近的轴密度变化有关：0。 一30。取样角范围内，上述极点的轴密度普遍较高且变化不大，当取样角达到45。并 进一步加大时，这些轴密度开始明显降低； 与热轧板相比，NiTi冷轧板具有比热轧板更强的织构，并且出现了热轧板中所没 有的{111)面织构；对不同冷拔变形率的冷轧NiTi板的ODF和相变应变的测试及计算 强；冷轧NiTi板的相变应变随冷轧变形量的增大而增大，其原因是(355)和(122)极点 附近轴密度随冷轧变形量的升高而增大； 采用磁控溅射方法在(100)、(111)单晶硅和多晶硅基板上制备NiTi薄膜。基板分 不预热和500。C、525℃、550。C三种预热温度。结果发现： 基板种类的不同对薄膜织构的形成具有十分显著的影响： 1) (100)单晶硅热基板上溅射薄膜时形成的织构比较简单，为{100}、{1lO) 和{111)面织构，织构类型不随基板预热温度变化而变化； 2)(“1)单晶硅热基板溅射薄膜形成的织构则比较复杂，织构类型随基板预热 温度升高变化较大； 同时基板温度对薄膜织构也有影响： 1) (100)单晶硅基板不预热时获得非晶态NiTi薄膜，经后续退火晶化后没有 形成织构： 度最高，而{111}面织构则在550C时最强； 弱并向{111)和{115}面织构转变； 实验表明：纳米压痕技术基本能定性显示出非自由形状记忆薄膜的相变应变；同 时不失为一种定性测量带织构薄膜残余应力的有效手段，具有测量简单，适用范围广、 不破坏样品等特点； 采用弯曲法、x射线衍射法和纳米压痕法分析了NiTi薄膜的残余应力，结果表 明：冷基板磁控溅射+后续晶化处理的NiTi薄膜中存在明显的残余拉应力，其大小主 要受热应力以及马氏体相变应力影响；热基板溅射直接晶化的NiTi薄膜中也存在残 余拉应力，且主要是