ZnO薄膜的常CVD生长及掺杂研究.pdfVIP

摘要 摘要 氧化锌(ZnO)是一种重要的化合物半导体光电材料，它具有良好的物理 特性：直接带隙能带结构、室温禁带宽度3．37eV、激子束缚能60meV，是制备 紫外发光二极管、特别是制各室温紫外半导体激光器的优选材料。可是性能良好 的P型ZnO材料的制备问题一直以来成为实现ZnO基发光器件突破的瓶颈。近 几年来，尽管国际上P型ZnO薄膜的制备取得了重要进展，但是可实用的ZnO 发光器件仍没有制各成功。特别是在用金属有机化学气相沉积(MOCⅦ)法生 长ZnO薄膜及其P型掺杂方面，还需要更多的研究，否则ZnO基发光器件将难 以产业化。在这样的背景下，本论文开展ZnO薄膜的MOCVD生长及其掺杂性 质研究。 本论文主要是采用自制常压MOCVD系统，以去离子水(H20)和二乙基 关内容研究。在课题研究过程中，本文主要获得了以下一些有意义和有创新性的 研究结果： l、首次提出了在外延层生长过程中引入少量腐蚀性气体来提高ZnO薄膜的晶体 质量。研究实验结果表明，在外延层生长过程中引入少量的H2和NH3都有利于 提高ZnO的晶体质量，但是引入H2将会影响ZnO薄膜的表面形貌和电学性能， 而引入少量的NH3后，ZnO薄膜的表面形貌、晶体质量、室温电子迁移率、低 弧秒(”)和235弧秒(”)。金相显微镜结果显示ZnO薄膜中的平均晶粒尺寸直径大 小20um，为当前文献中MOCVD法生长ZnO薄膜的最大值，本文的这一实验 结果也正好体现了用常压MOCVD方法生长ZnO薄膜能获得大的晶粒尺寸特 点。 2、研究了高温缓冲层厚度、外延层的生长速率以及富Zn环境对ZnO薄膜生长 的影响，优化了生长工艺参数。在保持较高的晶体质量前提下，得到了生长速 率为4．29m／h的ZnO单晶薄膜。据我们所知，这一生长速率是目前文献用 MOCVD生长ZnO薄膜的最大报道值，较快生长速率和较高结晶质量对今后ZnO 摘要 薄膜的规模化生产是十分有利的。 3、采用常压MOCVD方法在蓝宝石(O001)衬底上成功地制备出高质量的、高可 文制各出的AZO透明导电薄膜的可见光透过率超过90％，电阻率在 972×104Q cm范围内。这些参数与目前文献报道所制备的AZO薄膜最好的结 果相当。 研究，对NH3掺杂温度、NH3掺杂方式以及NI-13掺杂流量等重要影响参数进行 了探讨。在优化的条件下，通过NH3掺杂最终获得了P型ZaO薄膜。金相显微 镜和DCXRD测试结果表明，该P型ZnO薄膜具有平整的薄膜表面和好的结晶 温PL中都能观察到非常强的与N替代O受主相关的发光峰。室温霍尔测量结 lOom2／VS。该P型ZnO薄膜为研制ZnO同质p-n结奠定了良好的基础。 5、采用常压MOCVD方法在蓝宝石衬底上用m和N做掺杂剂生长了具有p-n 薄膜的欧姆接触，制备出ZnO同质p-n结芯片。在室温下，该ZnO同质p-n结 具有典型的二极管整流I．V特性，开启电压约为5V(正向电流lOI．tA时，反向 电压高达20V(反向电流10P．A时)。这一结果要明显优于文献报道的结果。据 我们所知。20V的反向电压是目前报道ZnO同质p-n结的晟大值。对本文所制 备的ZnO同质p-n结的稳定性测试实验结果表明：本文用NH3做掺杂源获得的P 型znO的性能稳定。 本文以上研究结果从材料生长手段常压MOCVD系统的角度来说，均属国 际首次。本文相关研究结果己在《Journalof Growthj)、(Journalof Crystal Luminescence》以及CMaterialsScienceand B》等国际杂志上公开发 Engineering Scienceand 表。其中在(Materials B》杂志上发表的论文按被国际读 Engineering 者下载次数排序，成为该杂志2006年第一季度最热门的25篇论文之一，列第 Ⅱ