半导体发光二极中的负电容现象.pdfVIP

中文摘要 随着发光二极管已经越来越广泛地应用于光通讯、显示、照明和指示等领 域，对其特性的研究也显得越来越重要。对新的发光器件的特性研究往往更侧 重于发光特性和直流电学特性限功，而对交流特性的研究则少有报道。本文首先 对发光材料和发光二极管的研究进展进行了一般性考察，接着简要讨论了发光 二极管的一些特性。最后采用交流小信号正向导纳测试方法对发光二极管的正 向交流电特性进行了测量和分析。我们的主要工作可以概括如下： 1、给出了采用交流小信号正向导纳测试方法来确定二极管基本电学特性参数 的一般方法。 2、采用上述方法来测量了发光二极管的电学特性，大量的实验表明发光二极管 中普遍存在着负电容现象。对于不同材料和不同工艺的发光二极管，负电容 的具体表现可能有所不同，但是它们随电压和调制频率的变化规律都基本相 同。通过实验，我们确认这里的负电容现象是发光二极管本身的特性，并非 其他外部原因所致。 3、迸一步的发光特性实验表明，发光二极管中的负电容与电压调制发光随电压 和调制频率的变化规律基本一致，负电容的出现实际上对应着复合发光过程， 它可以通过发光有源区中注入载流子的复合发光过程来解释。我们还在负电 容的定量化问题上进行了探索，初步判断可能是由于发光复合区的空间限制 导致了负电容的出现。 我们的研究还表明，正向的电容谱灵敏度很高，有可能发展成为一种行之 有效的研究某些二极管内一些物理机制的常规手段。 发光二极管中的负电容现象可能会影响到它的调制和开关特性，因此对负 电容的正确认识和解释不论从理论上还是实际应用上都是很有价值的。 关键词：发光二极管，LED，GaN，负电容，正向导纳测试 ABSTRACT been usedin and diodes(LEDs)have many u曲t—emitting widely display,light moreand otherfieldsandbecome more anewkindof light important．Generally,for emission mainresearchonits foCUSonthe emissionand device，the performance light dc current(AQ current-volragecharacteristics．However,thealtemating characteristicsareseldom this we a reviewthe reported．In gavegeneral of pape5 of andLEDsand semiconductoremissionmaterial introduced development light some LED and characteristicsof more．wemeasured the briefly．Further analyzed forwa