掺杂WOlt,3gt;陶瓷非线性电性及其薄膜电致变色的研究.pdfVIP

摘 要 三氧化钨 (W03)是一种具有广泛应用前景的功能材料，特别是在诸如电致变色、 非线性电学性质 (压敏电阻)方面有良好的应用前景。我国是名列世界第一的钨资 源大国，但对钨氧化物物理性质的研究远落后于欧美和日本等国家。因此，深入系 统地研究钨氧化物的电学性质，就具有重要的科学意义和应用价值。本文制备了掺 杂的W03多晶陶瓷块体和薄膜样品，并深入研究了掺杂以及制备工艺对三氧化钨的 压敏性及电致变色性能的影响。 用V伪掺杂W03陶瓷，掺杂范围从0.5mol%到15mol%，扫描电镜照片显示掺钒 后，样品晶粒远远要比纯的W03晶粒小。虽然晶粒的减小与V205有关，但与V205 的含量却没有明显的关系。但随着钒含量的增加，W03陶瓷致密度也随之增加。由 XRD结果知，钒的掺入抑制了三氧化钨三斜相的生长，同时与三氧化钨反应生成的 新相V2W06与三氧化钨单斜相共存。对W03-V205陶瓷样品系统的研究了烧结温度、 环境温度、电极对其的影响。结果表明，W03-V205陶瓷的非线性电学性质是本身所 具有的属性，并不单单受电极的影响。烧结温度为1000℃的W03-V2伪 (V3.5mo1%) 在室温下有最大的压敏系数。=3.44(Ag电极、JI=0.1mA/c耐)。这是由于掺钒后抑 制了三氧化钨三斜相，同时生成新相V2WO所‘致。另一个有趣的现象是W03-V205 (V0.5mol%)在较低的温度下几乎没有压敏性，但在温度升高至 350℃附近开始具 有良好的非线性电学性质。这与在330℃时三氧化钨陶瓷存在一个单斜相向正交相转 变有关。 用射频磁控溅射法沉积了W-Tb-0薄膜，系统地研究了不同比例的Tb对三氧化 钨薄膜电致变色性能的影响。对比在2Pa和4Pa下沉积的W-Tb-0薄膜的结果，Tb 含量为1.95mo1%的W-Tb-。薄膜有最大的电荷注入密度Q=42.8mC/cm2。从AFM照 片中可以看出与纯的W03薄膜相比，Tb含量为1.95mo1%的W-Tb-0薄膜明显具有多 孔性，更利于离子在其内部通过。 关键词:W03-V205陶瓷，非线性电学性质，伏安特性，电致变色，W-Tb-0薄膜 Abstract Tungstentrioxide(WO3),asonekindoffunctionalmaterialswithgreatpotentialfor technologicalapplicationssuchaselectrochromicdevices,varistorhasbeeninvestigated systematically.Chinaisthenumberonetungstenreserveintheworld.Itisveryimportant toinvestigatethedetailedelectricalpropertiesoftungstenoxide.Inthisarticle,the polycrystallinedopedW03ceramicbulkandthinfilmshavebeenfabricated,andthe effectoftechniqueanddopingontheW03specimensarestudied. Thedensificationbehavior,themicrostructureandtheelectricalpropertiesofW03 ceramicswithVz05astheonlyadditiverangingfrom0.5to15mol%werestudied.The SEMphotosindicatethatthegrainsizeofW03-凡伪specimensissmallerthanthatofthe pureW03.TheadditionsofVz05toW03showatendencytoenhancethedensificationrate andtorestraingraingrowth.TheX-raydiffractionrevealthatthesinteredspecimenshave atwo-phasemicrosturcture:monoclinicW03phaseand凡W06phase.Theelectrical propertiesofallspecimensweremeasuredfordifferenttemperaturesandelectrode