锆钛酸铅镧铁电膜的制备及微细加工.pdfVIP

摘要 锆钛酸铅镧铁电薄膜的制备及微细加工 学科：材料物理与化学 作者：杜泽惠 导师：赵高扬 教授 答辩日期： 摘要 锆钛酸铅镧（PLZT ）具有良好的铁电介电和光学性能，在铁电存储器 （FRAM ）、动态随机存储器(DRAM) 等方面应用前景广阔。本文旨在采用 Sol-Gel 法，制备出具有良好铁电介电和光学性能的PLZT 薄膜，并采用新技术获得 PLZT 薄膜的微细图形。采用FT-IR、TEM、改进的sawyer-tower 电路、LCR 数字电 桥等手段，分别探讨了稳定溶胶的成膜机理、热处理条件对薄膜晶相转变的影响以 及不同工艺参数对薄膜铁电以及光学性能的影响，研究发现： （1）本研究采用的含Pb 、Zr 或Ti 的出发原料能与AcAcH 反应生成螯合物从而 形成稳定溶胶。添加剂醋酸和乙醇铵的摩尔比会影响溶胶的稳定性和成膜质量，当 Pb 组分和两者的配比为 1:0.15:0.1 时形成的溶胶质量最好。 （2 ）硅片上制备的PLZT 薄膜在 500℃处理 1h 后由钙钛矿相、La2O3 和PbO 三 相组成，700℃处理1h 后薄膜由钙钛矿相、TiO2 和PbZrO3 三相组成，800℃热处理 1h 后可获得完全钙钛矿相的PLZT 薄膜。 （3 ）所研究的几组对照试样中，以甲醇为溶剂，Zr(OC H ) 、La(NO ) 、 4 9 4 3 2 Pb(CH COO) 、Ti(OC H ) 为出发原料制备的PLZT 薄膜具有优良的铁电性能，其剩 3 2 4 9 4 余极化强度Pr 可达42.81uC/cm2 ，矫顽场强Ec 为 14.62kV/cm；20Hz 频率下介电常 数εr 为508，损耗因子tanδ为0.11。 （4）PbTiO3 过渡层有利于PLZT 薄膜钙钛矿相的生成，在测试频率小于 10kHz 时薄膜具有比较高的介电常数；但会降低Pr 而增大Ec，使薄膜的电滞回线不易饱 和，tanδ变大。 （5）用溶胶－凝胶法制备的PLZT 薄膜在可见光范围内具有良好的透光度。 以石英为基板、组分比为7/65/35 的薄膜透光度可达90 ％左右。 （6）本研究制备的PLZT/AcAc 凝胶薄膜在 312nm 附近有明显的吸收峰；用 相应波长的紫外光照射时这个吸收峰会减小直至消失，表明薄膜具有明显的感光 性。利用这种感光性凝胶薄膜可以制备出PLZT 的微细图形。 关键词：PLZT ，溶胶－凝胶，热处理，铁电介电，微细加工 本论文为国家自然基金资助课题） Abstract PREPARATION OF PLZT THIN FILMS AND THEIR FINE-PATTERNING Author:Du Zehui Supervisor: Prof. Zhao Gaoyang Abstract Lead lanthanum zirconate titanate (PLZT) exhibits many desirable optical and electrical properties such as ferroelectricity,dielectrics and holds great promise for wide applications in ferroelectric random access memory (FRAM) and dynamic random access memory(DRAM). I