结型半导体桥的构设计及性能研究.pdfVIP

IIll I III IIIllIII l l III Y2274889 M．D．Dissertation Structuraland researchof designcompatible unctionsemiconductor j bridge Zh Qiaoengguang Assistant oubin by P1^oj．Zh Supervised Zhichun Engineer．Qin of NanjingUniversity June，2012 硕士论文 结型半导体的结构设计与性能研究 摘 要 本文分析了结型半导体桥的起爆规律及作用机理，讨论了结型半导体桥电爆性能的 影响因素，根据结型半导体桥的结构特点，设计了～种封装结构。研究了结型半导体桥 的静电射频防护效果及规律，主要得到以下结论： (1)结型半导体桥的击穿电压决定于N型硅衬底的掺杂浓度，掺杂浓度越低击穿电 压越高；而结型半导体桥的寄生电阻、静态电阻、电容等参数除受掺杂浓度的影响外， 还受芯片尺寸和电极尺寸的影响。 (2)电容放电作用下，击穿电压10V左右高掺杂浓度结型半导体桥不会发火，击穿 电压为35V、150V左右的中、低掺杂浓度可以发火，击穿电压越高，发火效果越好。 (3)正向电极尺寸一定时，芯片尺寸越大，桥区能量越不容易集中，不利于结型半 导体桥发火；电极尺寸可以影响反向偏置PN结的实际作用面积，实际作用面积越大， 激发越难；放电电容增大相当于储能增加有利于结型半导体桥发火。 (4)结型半导体桥的起爆过程可分为三个阶段：QPN结的反向击穿；②结区的能 量积累；③等离子体的产生。结型半导体桥点火需同时满足两个条件：①外加电压大于 PN结的反向击穿电压；②结区有足够的能量积累。通过原子发射光谱测量系统验证了 结型半导体桥发火阶段等离子体的存在。 (5)研究表明结型半导体桥具有良好的静电防护能力，分析认为静电作用下，结型 半导体桥发生击穿，但由于电容放电时间常数T比较小，放电作用时间短，击穿瞬间结 型半导体桥由高阻变为低阻，结区能量大部分被泄放掉，放电能量不足以损坏结区。经 静电放电后，结型半导体桥可正常发火。 (6)结型半导体桥具有良好的射频防护能力，通过减小寄生电阻，改善芯片与环境 的热交换能力可以进一步增强结型半导体桥的射频防护效果。 关键词：结型半导体桥，雪崩击穿，静电，射频 werewerewaswhosewhoseWaSAbstractmechanismmiddlemeansmoremeasurementreversereversereversebreakdownbetterbiasedPNbePNPNbreaksasanotnotnotTheThehasElectrostaticbreakdownbreakdownbreakdownaRFresearchneedsThebreakdownbreakdownbreakdownCancanSCBandandareSCBSCBareaffectedalsoSCBSCBareaboutare．SCBaffectedareaSCBSCBSCBatomicSCB．SCBSCBofofofofotherofof0