Cu掺杂ZnO稀磁半导体磁电性能影响的模拟计算.pdfVIP

物理 学 报 ActaPhys．Sin．Vo1．64，No．16(2015) 167201 Cu掺杂ZnO稀磁半导体磁电性能影响的 模拟计算冰 侯清玉 )十 许镇潮 ) 乌云2) 赵二俊 ) 1)(内蒙古工业大学理学院，呼和浩特 010051) 2)(内蒙古化工职业学院化学工程系，呼和浩特 010071) (2015年 2月22日收到；2015年4月 14日收到修改稿 ) 在Cu重掺杂量摩尔数为0．02778—0．16667的范围内，对zn0掺杂体系磁 电性能影响的第一性原理研究 鲜见报道．采用基于 白旋密度泛函理论的平面波超软赝势方法，用第一性原理计算了两种不同Cu单掺杂量 Znl一Cu0 (=0．02778，0．03125)超胞的能带结构分布和态密度分布．结果表明，掺杂体系是半金属化的 稀磁半导体；Cu掺杂量越增加、相对 自由空穴浓度越增加、空穴有效质量越减小、电子迁移率越减小、电子电 导率越增加．此结果利用电离能和Bohr半径进一步获得了证明，计算结果与实验结果相符合．在限定的掺杂 量0．02778—0．0625的条件下，Cu单掺杂量越增加、掺杂体系的体积越减小、总能量越升高、稳定性越下降、 形成能越升高、掺杂越难．在相同掺杂量、不同有序 占位Cu双掺 ZnO体系的条件下，双掺杂Cu-Cu间距越增 加，掺杂体系磁矩先增加后减小；当沿偏a轴或b轴方 向Cu—O—Cu相近邻成键时，掺杂体系会引起磁性猝 灭；当沿偏C轴方向Cu—O—Cu相近邻成键时，掺杂体系居里温度能够达到室温以上的要求．在限定的掺杂 量0．0625一O．16667的条件下，沿偏c轴方向Cu—O—Cu相近邻成键时，Cu双掺杂量越增加，掺杂体系总磁 矩先增加后减小．计算结果与实验结果变化趋势相符合． 关键词：Cu掺杂ZnO，电子结构，磁 电性能，第一性原理 PACS：72．10．一d．72．15．—_v．73．20．At DOI：10．7498／aps．64．167201 系带隙宽度越变窄、吸收光谱越红移．Muthuku— 1 引 言 maran和 Gopalakrishnan0【】采用共沉淀方法研究 了Cu掺杂ZnO体系的红外光谱和光致发光特性的 稀磁半导体具有独特的自旋 电子学特性和潜 影响，结果表 明，在Cu掺杂摩尔量为0．04—0。06的 在 的实际应用价值，受到了科技工作者的广泛关 范围内，Cu掺杂量越增加，ZnO体系的吸收光谱 注．Zn0是典型的直接宽带隙半导体材料，具有高 越红移．Kim等 [7】采用磁控溅射法研究了Cu掺杂 的激子束缚能，能够实现室温高紫外发光；其原料 ZnO体系的导 电性能的影响，结果表明，在Cu掺杂 丰富、价廉、环境友好．因此，ZnO基稀磁半导体成 摩尔量为0．01—0．03的范围内，Cu掺杂量越增加， 为人们关注的焦点 [1--4]． 掺杂体系电导率越强． 在实验研究方面，Cu掺杂ZnO体系的磁 电光 在理论计算研究方面，Cu掺杂ZnO体系的磁 性能的研究比较广泛．Drmosh等 [5l在室温下用脉 光性能的研究也比较广泛 ．Nia等Is1采用基于 自 冲激光沉积 (PLD)方法研究了Cu掺杂 ZnO体系 旋极化密度泛函理论 (DFT)的第一性原理研究了 的光学性质，结果表 明，Cu掺杂量越增加、掺杂体 Cu掺杂ZnO磁特性的影响，结果表 明，Cu单掺杂 国家 自然科学基金 (批准号21261013)、教育部 春“晖计划”和 内蒙古 自治区高等学校科学研究项 目(批准号 N