Si-TaSi-%2c2-共晶自生复合场发射材料的分析研究.pdfVIP

摘要 Si—TaSi2共晶自生复合材料作为半导体金属共晶材料(SEM)之一，具有 较低的功函数、良好的电传输特性和自生肖特基结等特点。本文采用切克拉斯 基法(CZ法)和电子束区熔法(EBFZM)两种定向凝固方法制备该共晶自生 复合材料：借助金相技术、电镜技术、图象处理技术等多种分析测试手段，考 察了Si．TaSi2共晶定向凝固组织和及其相应的工艺规范。 本文探讨了CZ法工艺参数对材料凝固组织的影响，确定了制备该复合材 O，925×106rod／cnl2，平均横向面积为8～10 gm2，平均体积分数为2．328％，满 足场发射材料的要求。凝固速率在8～20cm／h范围内，随凝固速率R的增加， 纤维直径d和纤维间距^都减小，前者符合线性关系，后者符合^ocRo 5关 系。随凝固速率的增加TaSi2纤维体积分数基本不变。 在较好控制固液界面和较低的生长速率定向生长条件下，纤维相TaSi2生 长过程有其独特的规律性，通常可以将其生长过程分为启动、竞争、稳定三个 典型阶段。研究纤维相和基体相之间的位相关系发现，纤维相表面光滑，与基 中段纤维密度增大，从中部到根部纤维密度基本不变化。同一晶片上纤维沿径 向分布有差异，边缘纤维密度高，中心部位纤维密度低。纤维横向截面形状表 现多样。材料的场发射性能良好，其发射开启场强约为4．4V／um，F—N曲线表 明该材料的电子发射主要是由隧道效应引起的。 利用EBFZM法，本文研究了区熔工艺和凝固组织之间的关系。结果表明， 在区熔速率R=0～0．3mm／min范围内两相很难形成规则共晶，其中基体相定向 生长，第二相混乱生长，弥散分布于基体中。区熔速率R=0．6mrrdmin，Si— TaSi2共晶体两相形成规则共晶。纤维相生长经历了启动生长、竞争生长、稳定 生长过程。比较EBFZM和CZ法生长的共晶体纤维相分布发现，前者纤维相分 布更均匀，纤维细且长，但取向性没前者好。 关键词：自生复合材料，定向生长，CZ法，EBFZM法，TaSi2纤维问距 TaSi2纤维体积分数，纤维取向性 摘要 Abstract eutectic rod·like in— Asoneofthesemiconductor-metal eutectic material(SEM)，the situ of haslowerworkfunction．excellentelectrical SiTaSiz transport composite the was the and schottkyjunctions，whichgrown—induringcrystalgrowthstep． this directionalsolidification method Therefore，in methods，Czochralski paper，two zone usedtoobtainsuchmaterial． andelectron-beam method，were floatingmelting of directionalsolidifitionmicrostructures was The