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表1：货物需求一览表 序号 设备名称 数量 预算（万元） 1 半导体光电器件制备与测试系统 1 65.93 表2：设备配置及技术规格表 序号 设备名称 技术参数 功能要求 1 半导体光电器件制备与测试系统 ★1.磁控溅射沉积系统： 主要由溅射真空室、磁控溅射靶、基片加热台、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。 极限压力：≤6.0×10-5pa（经烘烤除气后）。恢复真空时间： 系统短时间暴露大气并充干燥氮气后，再开始抽气，40分钟可达 6.0×10-4pa；系统真空检漏漏率：≤5.0x10-7 Pa.l/S；停泵关机12小时后真空度：≤5 Pa。 （1）溅射真空室组件 圆筒型真空室尺寸Ф450mm x350mm，电动上掀盖结构，可内烘烤100～150℃，选用优质不锈钢材料制造，氩弧焊接，表面进行特殊工艺抛光处理，接口采用金属垫圈密封或氟橡胶圈密封；真空室组件上焊有各种规格的法兰接口如下： CF100法兰接口：1个（观察窗口）； CF63法兰接口：1个（观察窗口）； CF16法兰接口：3个（进气管路、放气阀）； CF150法兰接口：1个（分子泵）； CF100法兰接口：3 个（磁控靶接口） CF35法兰接口：6个(电离规、旁抽口、陶封引线、3个备用) RF25法兰接口：1个（基片挡板）； CF16法兰接口：2个（规、备用）； 真空系统配置：复合分子泵、机械泵、闸板阀。 （2）磁控溅射靶组件 永磁靶3套，靶材尺寸Ф60mm，各靶射频溅射与直流溅射兼容，靶内有水冷；电动控制挡板组件：1套；靶配有屏蔽罩，以避免靶材之间的交叉污染(非共溅时安装使用)；三个靶可共同折向上面的样品中心，靶与样品距离90~110mm可调，当直接向上溅射时，靶与样品距离40~80mm可调。 （3）单基片加热台组件 基片尺寸：可放置Φ30mm基片；基片加热最高温度 600°C±1°C，由热电偶闭环反馈控制；基片可连续回转，转速5～10转/分； 基片可以加负偏压：200V；手动控制样品挡板组件：1套；样品托：2个； （4）窗口及法兰接口部件 CF100玻璃窗口：1块；CF63玻璃窗口：1块； CF35陶瓷封接引线法兰：1个（照明及内烘烤引线）； 盲法兰CF16：1个；CF35：3个 （5）工作气路 200SCCM、100SCCM质量流量控制器、充气阀RF16、进气截止阀、混气室、管路、接头等：共2路 充气阀D6，管路、接头等：1路（解除真空冲氮气）； （6）抽气机组及阀门、管道 复合分子泵及变频控制电源：1台（抽 速600升/秒）； 直联机械泵：1台（抽速8升/秒）； KF40电磁压差阀：1台； 分子泵与机械泵软联接金属软管：1套 ； 机械泵与真空室之间的旁抽管路、KF40电磁隔断阀及角阀CF35：1套 ； CF150-B闸板阀：1台（用于分子泵与真空室隔离）； （7）安装机台架组件 优质方钢型材焊接成，快卸围板表面喷塑处理；机台表面用不锈钢蒙皮装饰；四只脚轮，可固定，可移动； （8）真空测量及电控系统 电源机柜：2台（含供电电源，有断电 保护功能）； 控制电源：1台（为机械泵、电磁阀、升降电机等提供电源）； 水流报警系统：1套（对分子泵、磁控靶有断水报警、延时切断相应电源功能）； 样品加热控温电源：1套（日本产控温表，可实现程序控温、可切换）； 电机控制电源：1套； 靶挡板电源：3套； 加热烘烤及照明电源：1套； 宽量程数显真空计：1套 测量范围：1.0x105Pa～1.0x10-5Pa。 200SCCM、100SCCM质量流量显示器：1套； 分子泵控制电源：1套； 500W直流电源：1套； -200V直流偏压电源：1套； （9）配件 Ф6mm不锈钢管：6m； 电动升降装置：1套； （10）备件 无氧铜密封垫圈及管路：1套； O型氟橡胶密封圈：1套 照明灯：2个；烘烤灯：2个 样品加热丝：1套； Ф98×3玻璃：2块；Ф60×3玻璃：2块； 小型不锈钢标件：M3、M4各3个； 电器相关的保险丝：各