掺杂Ag和Ce纳米TiOlt;,2gt;光催化剂研究.pdfVIP

摘要 本文综述了半导体Ti02光催化剂的发展和应用现状，评述了Ti02 光催化剂的光催化机理、催化剂制备及其光催化活性的影响因素方面的 研究进展。 由于Ti02的带隙较宽，光吸收波长范围窄，且半导体载流子复合率 高等缺陷。为了对其进行改性，本文选用溶胶一凝胶法制备含钛溶胶， 并在多孔的硅胶颗粒上浸渍涂敷，掺杂Ag和ce对其光催化活性进行改 性，通过XRD、SEM以及光催化评价等方式对其光催化活性进行研究。 对于掺杂了Ag和Ce的光催化剂，发现由于Ag的掺杂，使得催化 剂上Ti02颗粒粒径增加，相变温度降低，在550℃即出现金红石晶相。 Ag的掺杂增加了光催化剂的光吸收性能，改善了催化剂表顽光生流子的 传输和捕获状态。而对于掺杂了Ce的光催化剂，Ce的掺杂抑制了催化 剂上Ti02由锐钛矿向金红石晶相的转变，使相变温度提高；Ce的掺杂 有利于催化剂对近紫外光的吸光度、光激发下产生的电予一空穴的有效 分离。从光降解能力考查可以看出，掺杂Ag和ce都能显著提高催化剂 光催化性能。实际应用中应选择最佳的金属离子掺杂量、煅烧温度、光 照时间及通气量等条件来达到最好的光催化性能。 从研究结果来看，所制备的催化剂上的Ti02粒子粒径都在10—20nm 之间，说明所制备的催化剂上的Ti02为纳米级。而且掺杂了Ag和ce的 光催化剂的光催化活性明显高于P25和未掺杂金属离子的催化剂，光催 化剂固载化有效的解决了粉末态催化荆难于分离回收的缺点，能够再利 用。 关键词：Ti02；银掺杂；铈掺杂；光催化 Abstract The and ofsemiconductor application Ti02 development photocatalyst are inthis and introduced mechanismfactorsthat thesis．Photocatalysis influence and arereviewed． preparation photocatatysisactivity haslimitationsuchaswidevalence adsorbed Ti02 gap，narrowphoto semiconductorcurrentrecombinationratio．Inorder high wavelength，and to its methodand to andCe changeproperties，bysol—gel dipingprepareAg of is new Ti02／silica activity doped gel．Thephotocatalysis photocatalyst withXRDandSEM． investigated Afteris isfoundedthat diameter Ag Ti02 increased， doped，it particle trans