實驗二極體特性曲線.docVIP

實驗 二極體特性曲線 目的 了解二極體之特性 相關知識 二極體(Diode)有矽製及鍺製二種，又可分PN 接合型及點觸型。 1. 普通二極體 將P 型半導體及N 型半導體接合成圖2-1(a)，成為一二極體。右邊圈內正號代表施體原子(Donor)，因其第五個電子已被移出，故每一個施體帶正電。同理左邊為受體原子(Acceptor)，帶一負電荷，圈外之小正負電和代表自由電子及電洞。 接面附近之自由電子及電洞因合併而消失，離子化原子在接面附近形成一電場， 阻止其餘電子及電洞在跨越接面，而使遷移作用停止。由於接面附近沒有任何可遷移的自由電子及電洞，故此區稱為空乏區。但因正電之施體原子及負電之受體電子形成一位能障壁，如圖2-1(b)。為使接面有電流通過，必須降低此處的位能障壁，則需加一順向偏壓在PN 兩端，如圖2-2 所示。P 端加正電壓，N 端加負電壓，則P 端的電洞正受電壓排斥而移近接面，而N 端的自由電子受負電壓排斥而 移向接面，若電壓夠大，則此兩種載子能跨越介面而形成電流，能夠有電流的最低電壓為切入電壓VT。若順向偏壓加大，則電流加大。若順向偏壓值小於切入電壓VT，則電流很小，但超過VT 時，電流會很快的增加，如圖2-4 所示鍺晶體的切入電壓VT =0.2V，矽晶體為VT = 0.6V。 若外加一逆向偏壓於二極體，如圖2-3 所示， 電洞會離開接合面而無順向電流。但由於光熱等效應會破壞電晶體上之共價鍵，使P 型半導體含少量自由電子，N 型半導體含少量電洞，此少數載子受逆向偏壓吸引，在電路上形成甚小的電流。若逆向電壓增加，使少數載子獲得足夠的速度，並碰撞游離其他價電子，而產生極大的逆向電流，如圖2-4 所示，此現象成為累增崩潰。 2. 稽納二極體(Zener Diode) 二極體的崩潰電壓VB穩定，只要在製造時使接面功率與散熱率平衡，則可用來做穩壓或參考電壓用。 3. 用三用電表鑑別二極體的好壞： 因二極體順向與逆向特性不同，固有單向導電性，加順向偏壓時阻抗小，逆向偏壓時阻抗大，故可用三用電表來測量順向或逆向阻抗值而決定PN 端，及二極體的好壞。 實驗步驟 實驗A (判斷矽鍺二極體) 以萬用電表確定diode哪一端為P? 哪一端為N? 連接電路如圖,使Diode順向偏壓,量測跨在Diode兩端上的電壓,並藉此判斷其為矽或鍺半導體所製作之Diode. 設定電壓源電壓為15 V. 實驗B (順向偏壓下Diode的特性曲線) 連接電路如下圖. 設定電壓為 10V. 調整不同的可變電阻值,改變落在Diode上的電壓,並量測通過Diode的電流大小. 實驗C (逆向偏壓下Diode的特性曲線) 連接電路如下圖. 設定電壓為 10V. 調整不同的可變電阻值,改變落在Diode上的電壓,並量測通過Diode的電流大小. 填表完成後,調整可變電阻使V2為3V, 將銲槍置於離Diode 0.5 cm的位置約20 sec, 觀察V1電壓的變化. 實驗D (以示波器XY mode量測Diode特性曲線) 連接電路如下圖. 設定訊號產生器輸出(10V的弦波,並調整其頻率為100Hz.. 將示波器Ch1與Ch2分別接在電路圖中所指示之位置.將顯示模式調為XY模式. 改變訊號產生器輸出電壓之振幅與頻率.觀察Diode特性曲線變化的情形. 實驗 二極體特性曲線 班級: 學號: 姓名: 實驗A (判斷矽鍺二極體) 將Diode畫出,將P, N端標明在圖上,並將順向偏壓下跨在Diode兩端電壓紀錄於圖中. 問題: 此電阻是由矽或是鍺半導體製作? 實驗B (順向偏壓下Diode的特性曲線) 電壓值 電流值 電壓值 電流值 實驗C (逆向偏壓下Diode的特性曲線) 電壓(1) 電壓(2) 電壓(1) 電壓(2) 問題: 當Diode的溫度上升,其逆向飽和電流變大還是變小? 問題: 為何量測順向偏壓與量測逆向偏壓的特性曲線所採用的方式不同,也就是請解釋量逆向偏壓時為何不是用順向偏壓之電路而將Diode轉向即可? 問題: Diode的特性曲線與頻率是否相關? I V