感应耦合等离子体增强射频磁控溅射特性及对沉积ZrN薄膜影响研析.pdf

摘·挺 摘要 氮化锆(ZrN)薄膜具有高硬度，高化学稳定性等优异性能，在很多领域有 着诱人的应用前景。致密性是影响薄膜性能的重要因素之一，传统的磁控溅射由 于离化率低而难以沉积高致密度的薄膜。为了研究等离子体密度对薄膜致密性的 影响，自建了感应耦合等离子体增强射频平衡磁控溅射(ICPBMS)系统，将 等离子体特性及其对沉积ZrN薄膜的结构和性能的影响。 研究结果显示：在相同功率和气压下，与ICP和磁控溅射各自单独放电相比 Tc不低于磁控溅射单独放电；ICPBMS等离子体密度Ne和基片的离子流密度随 着ICP功率、基片偏压和沉积气压的增大而增大，从而引起薄膜结构和性能变化： 得薄膜中的柱状晶体消失，表明高密度和高能量的离子流轰击基片能够降低薄膜 l 1)增大而 形成致密结构所需的温度：所沉积ZrN薄膜的硬度随着织构系数Tc(1 增大，同时受到致密度的影响，硬度最高值达到35Gpa，与M2钢基底相比，硬 度提高约6倍，并且高于传统磁控溅射沉积薄膜的硬度：薄膜的摩擦系数随着硬 度的增大而降低。研究还表明：提高基片温度有利于ZrN(200)晶面的形成：适当 的N2流量能够促进薄膜晶体结构的形成并且提高薄膜的性能：在基底与ZrN薄 膜之间沉积一层金属Zr可以有效降低薄膜的应力。 关键词：感应耦合等离子体，磁控溅射，等离子体诊断，ZrN薄膜．纳米硬度， 摩擦系数 Abstract Abstract Liu Feng(Major：Plasma Physics) Directed Professor by MengYue-dong Outlookofzirconiumnitridefilmsisattractivein domainsduetOits many high and chemical is ofthe hardness one factorsthathave good stability．Densityimportant onthe offilms．Itisdifficultto densefilms impacts properties synthesizehigh by conventional duetOitslowionizationcoefficient．Inorderto magnetronsputtering researchtheeffectof onthefilm plasmadensity density，wedesignedInductively PlasmaenhancedRadio Balanced Coupled Frequency MagnetronSputtering whichan coils wascombinedtO (ICPBMS)，inRF(13．56MHz)coupled magnetron tO dense the