氮气电容耦合射频辉光放电二维PIC%2fMC模拟的研究.pdf

摘 要 氮气射频放电等离子体广泛应用于氮化物合成及表面氮化技术，氮射频等离子体气 相沉积是一项很有潜力的技术。为了提高应用效率和质量，从微观角度深入研究氮气放 电等离子体过程机理非常重要。PIC／MC方法是考虑等离子体带电粒子运动最全面，最能 够反映实际等离子体过程的方法。本文采用PIC／MC混合自恰二维模型，研究低气压容性 氮气射频放电机理及其等离子体特性，探讨电子碰撞电离率和离解率过程的二维时空分 布及其随放电参量的变化。具体工作如下： 1． 建立了氮分子气体容性射频放电等离子体过程的PIC／MC自恰的混合模型，其中带 电粒子在电场中的运动及其产生的自恰场由PIC方法的静电模型描述，粒子间的碰 撞过程由MCC方法描述。用计算机语言结合有限差分方法实现PIC／MC混合模型模 拟氮气射频放电物理过程，分别编写了一维、两维PIC／Mc模拟程序。 2．对两极式非对称结构射频放电等离子体过程进行了模拟。计算了放电达到相对稳定 状态后一个周期不同时刻自洽电势和电场空间分布以及带电粒子(e，N：，N+)在 整个放电空间的密度分布。同时模拟了射频鞘层厚度随时间的分布规律并且通过调 节模拟放电参数，得到了射频鞘层厚度与放电电压之间的关系，模拟结果表明：(1) 驱动电极附近存在一明显的鞘层区，在该区内，电子密度迅速减小并趋于零，而离 子密度较大(尤其是在电极上)。在鞘层区以外，是电子和离子密度相等的均匀主 等离子体区。(2)鞘层区内，有较强的电场，而在主等离子体区内，电场较弱，且 是均匀分布的。(3)放电电压对鞘层参数具有明显的影响作用，随着射频电源的电 压的加大，等离子体鞘层的宽度有所增加。 3． 采用二维PIC—MCC方法对氮气对称结构射频放电进行了模拟，分别计算了其电场、 粒子(e，N2+，N+)密度、碰撞电离率及氮分子的离解率两维时空分布。其结果表 明：(1)放电空间内空间电势的变化直接影响着带电粒子的分布，正是电势分布的 震荡使得带电粒子的密度分布也出现了震荡，从而等离子体空间内形成了交变电 场。系统中的等离子体在鞘层交变电场的作用下在系统中集体振荡，振荡周期与射 频频率一致。(2)通过分别计算7电离过程和口电离过程，研究了其各自对电子碰 撞电离产生的贡献，结果发现口电离过程对电子碰撞电离产生的贡献占总电离率的 90％以上，证实了在低压容性射频放电中口电离是维持Ⅳ2放电的主要过程。(3) e一Ⅳ离解碰撞率在射频周期的时问平均的轴向分布表明，氮分子的最大离解率出 现在射频极鞘层边界附近，且适当提高电压，有助于提高放电空间氮分子的离解率。 总之，Ⅳ容性耦合射频辉光放电，是一个非常复杂的物理过程，放电空间的等离 子体参量受多种放电条件的制约，并且相互作用，相互影响。研究这些放电参量的相互 关系以及它们对活性氮离子产生率的影响，对氮化材料合成实验研究具有重要的意义。 本工作为认识Ⅳ，射频放电等离子体过程机理，探索提供“氮活化粒子富源的实验研 究提供参考依据． 关键词：氮等离子体粒子模拟蒙特卡罗模型 电容耦合射频放电 H Abstract hasbeen usedinthe ofnitride Nitrogenradio—frequencyglow widely synthesis discharge andthemetalsurface chemical nitridingtechnique．Radio-frequencyplasma vapordeposition a researchforthe in (RF—PCVD)innitrogen，ispromisingtechnology．Adeep plasmasprocess fromamicro view to the