LMDS上变频放大及其接收组件的研制.pdfVIP

中文摘要 本论文所研究的课题是信息产业部电子十三所预研项目“‘LMDS’毫米波前 端”的一部分。其要求是将Ka频段30GHz信号通过上变频及功率放大器获得 35GHz，14dBm的射频输出。 无源电路部分，我们首先对传输线的种类，耦合微带线的传输特性和微带一 波导过渡的基本原理进行了分析。然后介绍了混频器的基本原理，设计了镜像抑 制混频器和上变频器放大电路，镜像抑制混频器是利用两个单平衡混频器的相位 差对镜频进行抑制，其中四个混频二极管采用Alphar公司DMK一2606型。利用 senerade8．0和ADS软件仿真建立仿真模型，以此进行了设计和制作，并对仿真 和测试进行了比较和分析。在上变频功放组件中，上变频器采用hittle公司 HMC329芯片制作。我们设计和制作了Ka频段的两个滤波器，一个是直接耦合短 截线带通滤波器，另一个是平行耦合滤波器。并把电路仿真和场的仿真以及测试 结果进行比较和分析。在有源电路部分，为了满足产品指标输出射频信号不低于 lOdBm的要求，采用了hittle公司HMC283芯片，实现了有效的变频增益。 最后，根据上面的仿真和设计结果设计和制作了毫米波频段上变频放大组 件。该组件由五个部分组成：功率为lOdBm信号经过波导——微带过渡，然后混 频，滤波将30GHz提高到35GHz滤除不需要的谐波镜频以及三阶交调信号，为了 弥补混频滤波的变频损耗，加一级功率放大器，此放大器采用hittle公司HMC283 芯片，此上变频放大组件完成了上变频、滤波、放大功能。最终，输出频率为 35GHz，功率为14dBm。 经过实际测试，上变频放大组件能够满足LMDS毫米波前端的各项指标性 能，并且具有成本低、可靠性高等特点。作为发射电路的关键部件，它将决定和 提高发射系统的整体性能。 关键字：上变频／滤波器／混频器／上变频放大组件／微带一波导过渡 Abstract is istoescalate thesisa The of‘LMDS’millimeter-wave．The part purpose of to attain14dBconversionmeans 30GHz 35GHzand signals gainby power amplifier． In introduceabout line． section，Aboveall，I theory microstrip passive filterandwave Millimeter-wave transition．Designing band-pass guide-to-mierostrip two ofcoverer mixerandHMC329．In type byimage—reject former,image。reject two mixers．It’Sfourdiode to between mixeruses differentiate single-balance phasing mixer’s made of is ofDMK-2606