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實習報告 工程部 *** 2010.11.19  一． 半導體基礎知識 5 1． 半導體性質 5 1.1 緒論 5 1.2半導體影響因素 5 2.本征半導體和雜質半導體 6 2.1本征半導體和本征激發 6 2.2 N型半導體 7 2.3 P型半導體 7 3 PN結 8 3.1 PN結的形成 8 3.2 外加順向偏壓 9 3.3 外加逆向電壓 9 3.4 PN結的伏安特性曲線 10 3.5 二極體的擊穿特性 10 3.6 二極體的主要參數 11 4.能帶理論 12 4.1 能帶結構 12 4.2 施主能級和受主能級 14 4.3 雜質的補償作用 14 二 .產品制程 16 1．產品種類 16 2. 產品外觀 18 3．焊接站 19 3.1 焊接原理 19 3.2潤濕作用 20 3.3焊接流程 21 3.4焊接爐各區長度及分佈情況 21 4 酸洗站 23 4.1蝕刻的目的 23 4.2蝕刻原理 23 4.3影響蝕刻的因素 24 4.4蝕刻量大小對材料電性的影響 24 4.5 蝕刻流程 25 5上膠站 25 5.1上膠目的 25 5.2上膠流程 25 5.3影響上膠品質的因素 26 5.4矽膠的特點 26 6.壓模站 26 6.1.壓模的目的 26 6.2.壓模流程 27 6.3.環氧樹脂 27 7.測試站 31 7.1 測試目的和原理 31 7.2.基本電性參數 31 7.3.常見波形 32 8． 信賴性學習 32 9.失效分析 34 9.1 失效分析流程 34 9.2 主要分析設備及儀器 34 10. SPC 35 10.1SPC的目的 35 10.2技術原理 36 10.3 術語和名詞解釋 36 10.4 極差與標準差 36 10.5 變差 37 10.6 過程能力與過程能力指數 38 11.MSA 38 11.1 測量系統與測量系統分析 38 11.2 MSA基本概念 39 12. PPAP 39 12.1 PPAP規定 39 12.2 提供PPAP的情況 40 12.3 PPAP的內容 42 12.4 品質指數 42 13. APQP 43 13.1 APQP定義與目的 43 13.2 術語 43 13.3 APQP階段流程 44  一． 半導體基礎知識 1． 半導體性質 1.1 緒論 物質有氣態、液態、固態和等離子體態等幾種形態。如果按照固體的導電能力(用電阻率ρ 或電導率σ 描述)不同，可以區分為導體、半導體和絕緣體，如表1.1 所示。 表1.1 導體、半導體和絕緣體的電阻率範圍 材料 導體 半導體 絕緣體 電阻 ρ （Ωcm） ＜10-3 10-3～109 ＞109 1.2半導體影響因素 A． 溫度升高使半導體導電能力增強，電阻率下降。如室溫附近的純矽(Si)，溫度每增加8℃，電阻率ρ 相應地降低50%左右。 B． 微量雜質含量可以顯著改變半導體的導電能力。以純矽中每100萬個矽原子摻進一個Ⅴ族雜質（比如磷）為例，這時矽的純度仍高達99.9999%，但電阻率ρ 在室溫下卻由大約214,000Ωcm 降至0.2Ωcm 以下。 C .適當波長的光照可以改變半導體的導電能力。如在絕緣襯底上製備的硫化鎘(CdS)薄膜，無光照時的暗電阻為幾十MΩ，當受光照後電阻值可以下降為幾十KΩ。 D. 半導體的導電能力還隨電場、磁場等的作用而改變。 2.本征半導體和雜質半導體 2.1本征半導體和本征激發 本征半導體：純淨的、不含任何雜質和缺陷的半導體稱為本征半導體。 在絕對溫度T=0K時，所有的價電子都被共價鍵緊緊束縛在共價鍵中，不會成為自由電子，因此本征半導體的導電能力很弱，接近絕緣體。 圖1為本征半導體的共價鍵結構。 圖 1 本征半導體共價鍵結構 本征激發：價電子因熱運動獲得能量，爭脫共價鍵的束縛，成為自由電子，同時在共價鍵上留下空位，這一現象成為本征激發。溫度越高，本征激發越強，產生的自由電子和空穴越多。如圖2所示。 圖2 本征激發 本征激發的特點： A.成對的產生導帶電子和價帶空穴，導帶中的電子濃度n0等於價帶中的空穴濃度p0，即n0= p0. B.溫度對本征半導體中載流子濃度有重要影響，隨著溫度的升高，本征半導體載流子濃度迅速的增加。 2.2 N型半導體 若純半導體中摻入五價元素，由於價電子間會互相結合形成共價鍵，而五價的雜質與四價的矽每形成一共價鍵便多出一自由電子，此半導體稱之為Ｎ型半 導體。由於摻入丕價元素後電子數全增加，故五價元素稱為施體。 在Ｎ型半導體中，自由電子佔大多數，故稱多數載子。相對的，因受熱而 破壞共價鍵產生的電子電洞對是少數，所以電洞在Ｎ型半導體中稱為少數載子。 因摻入五價雜質，自由電子數加，以致半導體的導電率提高，而