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模拟脑电节律的磁场对记忆的影响及其机理研究
摘 要
目前,经颅磁刺激技术已越来越多地用于学习与记忆功能的研究中。许多
研究表明,磁刺激影响学习记忆能力:还有结果证明,磁刺激可以促进记忆功
能。这些结果显示经颅磁刺激技术已成为脑认知研究的有效工具,并将更加广
泛地应用于学习记忆的研究中。
磁刺激技术已成功地用于短时记忆获得与巩固过程的研究,但还没有用于
长时空问记忆保持和再现过程研究的报道。根据本课题组多年来的研究基础及
目前磁刺激对学习记忆能力影响研究的状况,本文首次利用不同脑电节律及不
同节律变化的弱脉冲磁场作用于动物,研究这些磁场对动物长时空间记忆保持
和记忆再现能力的影响,通过神经生化和生理学方法揭示弱磁场对动物记忆能
力影响的作用机理,并用理论模型进行科学合理的解释。
通过动物记忆行为训练及测试,本文得到如下结论:一定时间(lOmin)的
模拟脑电节律的弱磁场刺激大多降低大鼠记忆能力(PO.05),但特殊节律的弱
脉冲磁场作用可能会提高记忆能力;模拟脑电节律变化的弱磁场刺激对大鼠记
忆能力的影响可持续几小时,但随着时间的延长(约15h)磁场影响消失;弱脉
冲磁场对大鼠记忆的影响因其记忆内容而异,记忆深刻的事情不受影响。我们
对弱磁场影响动物记忆能力的作用机理进行了实验研究:模拟脑电节律变化的
弱磁场作用能够改变大鼠脑内神经递质的释放,如大鼠海马去甲肾上腺素NE、
同时,脑电节律的弱磁场作用后,大鼠海马、丘脑组织神经元形态发生变化;
另外,模拟脑电节律变化的磁诱导能够改变猫脑电功率谱分布。
根据对实验结果的分析,建立了弱磁场刺激影响动物记忆能力作用机理的
理论模型。本文认为,弱电磁场作用通过改变带电粒子的动能和生物大分子的
构象势能丽改变生化反应进程,影响酶活性和通道蛋白磷酸化过程,从而引起
Ca”内流变化,并影响Ca”与突触前膜特定位点的结合,促使神经元的突触小泡
释放神经递质,神经递质释放量的变化引起神经元信息传递的变化及突触后电
位的变化,同时,大量神经元突触后电位的变化在脑电中反映出来。弱磁场因
引起神经元信息传递的变化丽影响了动物的记忆能力。
关键词:弱磁场、记忆能力、神经递质、突触、脑电节律、磷酸化
Abstract
Transcranial been in
Recently used
MagneticStimulation(TMS)has
conjunction
with and tasks.It
learningmemory hasbeen that couldbeinfluenced
suggested
memory
TMS.And
otherevidence
indicatesthatTMS even the
by may have of
capability
various of these that
facilitating memory the
aspects performance.All
findingssuggest
useofTMSinthe and will
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